HPSI SiC Wafer ≥90% Transmittance Optical Grade para sa AI/AR Glasses

Maikling Paglalarawan:

Parameter	Grade	4-pulgada na substrate	6-pulgada na substrate
diameter	Z Grade / D Grade	99.5 mm – 100.0 mm	149.5 mm – 150.0 mm
Uri ng poly	Z Grade / D Grade	4H	4H
kapal	Z Grade	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
kapal	D Marka	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Oryentasyon ng Wafer	Z Grade / D Grade	Sa axis: <0001> ± 0.5°	Sa axis: <0001> ± 0.5°
Densidad ng Micropipe	Z Grade	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Densidad ng Micropipe	D Marka	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
resistivity	Z Grade	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
resistivity	D Marka	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Magpadala ng email sa amin

Mga tampok

Pangunahing Panimula: Ang Papel ng HPSI SiC Wafers sa AI/AR Glasses

Ang HPSI (High-Purity Semi-Insulating) Silicon Carbide wafers ay mga espesyal na wafer na nailalarawan sa pamamagitan ng mataas na resistivity (>10⁹ Ω·cm) at napakababang density ng depekto. Sa AI/AR glasses, pangunahing nagsisilbi ang mga ito bilang pangunahing substrate na materyal para sa diffractive optical waveguide lenses, tinutugunan ang mga bottleneck na nauugnay sa tradisyonal na optical na materyales sa mga tuntunin ng thin-and-light form factor, heat dissipation, at optical performance. Halimbawa, ang AR glasses na gumagamit ng SiC waveguide lens ay makakamit ang ultra-wide field of view (FOV) na 70°–80°, habang binabawasan ang kapal ng isang solong lens sa 0.55mm lang at 2.7g lang ang bigat, na makabuluhang nagpapahusay sa suot at visual immersion.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Mga Pangunahing Katangian: Paano Pinapalakas ng SiC Material ang AI/AR Glasses Design

High Refractive Index at Optical Performance Optimization

Ang refractive index ng SiC (2.6–2.7) ay halos 50% na mas mataas kaysa sa tradisyonal na salamin (1.8–2.0). Nagbibigay-daan ito para sa mas manipis at mas mahusay na mga istraktura ng waveguide, na makabuluhang pinalawak ang FOV. Nakakatulong din ang mataas na refractive index na sugpuin ang "epektong bahaghari" na karaniwan sa mga diffractive waveguides, na nagpapahusay sa kadalisayan ng imahe.

Pambihirang Kakayahang Pamamahala ng Thermal

Sa pamamagitan ng thermal conductivity na kasing taas ng 490 W/m·K (malapit sa tanso), mabilis na mapawi ng SiC ang init na nalilikha ng Micro-LED display modules. Pinipigilan nito ang pagkasira ng performance o pagtanda ng device dahil sa mataas na temperatura, tinitiyak ang mahabang buhay ng baterya at mataas na stability.

Lakas at Katatagan ng Mekanikal

Ang SiC ay may Mohs hardness na 9.5 (pangalawa lamang sa brilyante), na nag-aalok ng pambihirang paglaban sa scratch, na ginagawa itong perpekto para sa madalas na ginagamit na salamin ng consumer. Ang pagkamagaspang ng ibabaw nito ay maaaring kontrolin sa Ra <0.5 nm, na tinitiyak ang mababang pagkawala at lubos na pare-parehong pagpapadala ng liwanag sa mga waveguides.

Pagiging tugma sa Electrical Property

Ang resistivity ng HPSI SiC (>10⁹ Ω·cm) ay nakakatulong na maiwasan ang interference ng signal. Maaari din itong magsilbi bilang isang mahusay na materyal ng power device, na nag-o-optimize sa mga module ng pamamahala ng kuryente sa mga AR glass.

Mga Direksyon sa Pangunahing Aplikasyon

Mga Pangunahing Bahagi ng Optical para sa AI/AR Glasses

Diffractive Waveguide Lenses: Ginagamit ang mga substrate ng SiC upang lumikha ng mga ultra-thin optical waveguides na sumusuporta sa malaking FOV at pag-aalis ng rainbow effect.
Mga Window Plate at Prisms: Sa pamamagitan ng customized na pagputol at pag-polish, ang SiC ay maaaring iproseso sa mga proteksiyon na bintana o optical prisms para sa AR glasses, pagpapahusay ng light transmittance at wear resistance.

Mga Pinalawak na Aplikasyon sa Iba Pang Mga Larangan

Power Electronics: Ginagamit sa high-frequency, high-power na mga sitwasyon tulad ng mga bagong energy vehicle inverters at industrial na motor control.
Quantum Optics: Nagsisilbing host para sa mga color center, na ginagamit sa mga substrate para sa quantum communication at sensing device.

4 Inch at 6 Inch HPSI SiC Substrate Specification Comparison

Parameter	Grade	4-pulgada na substrate	6-pulgada na substrate
diameter	Z Grade / D Grade	99.5 mm - 100.0 mm	149.5 mm - 150.0 mm
Uri ng poly	Z Grade / D Grade	4H	4H
kapal	Z Grade	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
kapal	D Marka	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Oryentasyon ng Wafer	Z Grade / D Grade	Sa axis: <0001> ± 0.5°	Sa axis: <0001> ± 0.5°
Densidad ng Micropipe	Z Grade	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Densidad ng Micropipe	D Marka	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
resistivity	Z Grade	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
resistivity	D Marka	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Pangunahing Flat na Oryentasyon	Z Grade / D Grade	(10-10) ± 5.0°	(10-10) ± 5.0°
Pangunahing Flat Length	Z Grade / D Grade	32.5 mm ± 2.0 mm	bingaw
Pangalawang Flat Length	Z Grade / D Grade	18.0 mm ± 2.0 mm	-
Pagbubukod sa gilid	Z Grade / D Grade	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp	Z Grade	≤ 2.5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2.5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Bow / Warp	D Marka	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
pagkamagaspang	Z Grade	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm
pagkamagaspang	D Marka	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.5 nm
Mga Bitak sa Gilid	D Marka	Pinagsama-samang lugar ≤ 0.1%	Pinagsama-samang haba ≤ 20 mm, solong ≤ 2 mm
Mga Lugar ng Polytype	D Marka	Pinagsama-samang lugar ≤ 0.3%	Pinagsama-samang lugar ≤ 3%
Mga Pagsasama ng Visual na Carbon	Z Grade	Pinagsama-samang lugar ≤ 0.05%	Pinagsama-samang lugar ≤ 0.05%
Mga Pagsasama ng Visual na Carbon	D Marka	Pinagsama-samang lugar ≤ 0.3%	Pinagsama-samang lugar ≤ 3%
Mga Gasgas sa Ibabaw ng Silicon	D Marka	5 ang pinapayagan, bawat isa ay ≤1mm	Pinagsama-samang haba ≤ 1 x diameter
Mga Edge Chip	Z Grade	Walang pinapayagan (lapad at lalim ≥0.2mm)	Walang pinapayagan (lapad at lalim ≥0.2mm)
Mga Edge Chip	D Marka	7 ang pinapayagan, bawat isa ay ≤1mm	7 ang pinapayagan, bawat isa ay ≤1mm
Dislokasyon ng Threading Screw	Z Grade	-	≤ 500 cm²
Pag-iimpake	Z Grade / D Grade	Multi-wafer Cassette O Single Wafer Container	Multi-wafer Cassette O Single Wafer Container

Mga Serbisyo ng XKH: Pinagsanib na Mga Kakayahang Paggawa at Pag-customize

Ang kumpanya ng XKH ay nagtataglay ng mga kakayahan sa pagsasama-sama ng patayo mula sa mga hilaw na materyales hanggang sa natapos na mga wafer, na sumasaklaw sa buong kadena ng paglaki ng substrate ng SiC, paghiwa, pag-polish, at pasadyang pagproseso. Kabilang sa mga pangunahing bentahe ng serbisyo ang:

Pagkakaiba-iba ng Materyal:Maaari kaming magbigay ng iba't ibang uri ng wafer tulad ng 4H-N type, 4H-HPSI type, 4H/6H-P type, at 3C-N type. Ang resistivity, kapal, at oryentasyon ay maaaring iakma ayon sa mga kinakailangan.
'Flexible na Pag-customize ng Suka:Sinusuportahan namin ang pagpoproseso ng wafer mula sa 2-pulgada hanggang 12-pulgada na diyametro, at maaari ring magproseso ng mga espesyal na istruktura tulad ng mga parisukat na piraso (hal., 5x5mm, 10x10mm) at hindi regular na prisma.
Optical-Grade Precision Control:Ang Wafer Total Thickness Variation (TTV) ay maaaring mapanatili sa <1μm, at ang pagkamagaspang sa ibabaw sa Ra <0.3 nm, na nakakatugon sa mga kinakailangan sa nano-level na flatness para sa mga waveguide device.
Mabilis na Tugon sa Market:Tinitiyak ng pinagsamang modelo ng negosyo ang mahusay na paglipat mula sa R&D patungo sa mass production, na sumusuporta sa lahat mula sa maliit na batch na pag-verify hanggang sa malalaking dami ng mga pagpapadala (lead time ay karaniwang 15-40 araw).

FAQ ng HPSI SiC Wafer

Q1: Bakit itinuturing na perpektong materyal ang HPSI SiC para sa mga AR waveguide lens?
A1: Ang mataas na refractive index nito (2.6–2.7) ay nagbibigay-daan sa mas manipis, mas mahusay na mga istraktura ng waveguide na sumusuporta sa mas malaking field of view (hal., 70°–80°) habang inaalis ang "rainbow effect".
Q2: Paano pinapahusay ng HPSI SiC ang thermal management sa AI/AR glasses?
A2: Sa pamamagitan ng thermal conductivity na hanggang 490 W/m·K (malapit sa tanso), mahusay itong nag-aalis ng init mula sa mga bahagi tulad ng Micro-LEDs, na tinitiyak ang stable na performance at mas mahabang tagal ng device.
Q3: Anong mga bentahe sa tibay ang inaalok ng HPSI SiC para sa mga naisusuot na salamin?
A3: Ang pambihirang tigas nito (Mohs 9.5) ay nagbibigay ng napakahusay na paglaban sa scratch, na ginagawa itong lubos na matibay para sa pang-araw-araw na paggamit sa consumer-grade AR glasses.