3inch Dia76.2mm SiC substrates HPSI Prime Research at Dummy grade

Maikling Paglalarawan:

Semi-insulating substrate ay tumutukoy sa resistivity mas mataas kaysa sa 100000Ω-cm silikon karbid substrate, pangunahing ginagamit sa paggawa ng gallium nitride microwave radio frequency device, ay ang batayan ng wireless field ng komunikasyon.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Ang mga substrate ng Silicon carbide ay maaaring nahahati sa dalawang kategorya

Conductive substrate: tumutukoy sa resistivity ng 15~30mΩ-cm silicon carbide substrate.Ang silicon carbide epitaxial wafer na lumago mula sa conductive silicon carbide substrate ay maaaring gawing mga power device, na malawakang ginagamit sa mga bagong sasakyang pang-enerhiya, photovoltaics, smart grids, at rail transport.

Ito ay isang pangunahing bahagi sa larangan ng wireless na komunikasyon.

Ang Silicon carbide conductive at semi-insulating substrates ay ginagamit sa malawak na hanay ng mga electronic device at power device, kabilang ngunit hindi limitado sa mga sumusunod:

Mga high-power na semiconductor device (conductive): Ang mga substrate ng Silicon carbide ay may mataas na breakdown field strength at thermal conductivity, at angkop para sa paggawa ng high-power power transistors at diodes at iba pang device.

RF electronic device (semi-insulated): Ang mga substrate ng Silicon Carbide ay may mataas na bilis ng paglipat at power tolerance, na angkop para sa mga application tulad ng RF power amplifier, microwave device at high frequency switch.

Mga optoelectronic na device (semi-insulated): Ang mga substrate ng Silicon carbide ay may malawak na energy gap at mataas na thermal stability, na angkop para sa paggawa ng mga photodiode, solar cell at laser diode at iba pang mga device.

Mga sensor ng temperatura (conductive): Ang mga substrate ng Silicon carbide ay may mataas na thermal conductivity at thermal stability, na angkop para sa paggawa ng mga high-temperature sensor at mga instrumento sa pagsukat ng temperatura.

Ang proseso ng produksyon at aplikasyon ng silicon carbide conductive at semi-insulating substrates ay may malawak na hanay ng mga field at potensyal, na nagbibigay ng mga bagong posibilidad para sa pagbuo ng mga electronic device at power device.