2 pulgadang Silicon Carbide Wafers 6H o 4H N-type o Semi-Insulating SiC Substrates

4H SiC wafer N-type
Diameter: 2 pulgada 50.8mm |4 pulgada 100mm |6 pulgada 150mm
Oryentasyon: off axis 4.0˚ patungo sa <1120> ± 0.5˚
Resistivity: < 0.1 ohm.cm
Pagkagaspang: Si-face CMP Ra <0.5nm, C-face optical polish Ra <1 nm

4H SiC wafer Semi-insulating
Diameter: 2 pulgada 50.8mm |4 pulgada 100mm |6 pulgada 150mm
Oryentasyon: sa axis {0001} ± 0.25˚
Resistivity: >1E5 ohm.cm
Pagkagaspang: Si-face CMP Ra <0.5nm, C-face optical polish Ra <1 nm

1. 5G na imprastraktura -- supply ng kuryente sa komunikasyon.
Ang supply ng kuryente ng komunikasyon ay ang base ng enerhiya para sa komunikasyon ng server at base station.Nagbibigay ito ng kuryente para sa iba't ibang kagamitan sa paghahatid upang matiyak ang normal na operasyon ng sistema ng komunikasyon.

2. Charging pile ng mga bagong energy vehicle -- power module ng charging pile.
Ang mataas na kahusayan at mataas na kapangyarihan ng charging pile power module ay maisasakatuparan sa pamamagitan ng paggamit ng silicon carbide sa charging pile power module, upang mapabuti ang bilis ng pagsingil at bawasan ang gastos sa pagsingil.

3. Malaking data center, Industrial Internet -- server power supply.
Ang server power supply ay ang server energy library.Ang server ay nagbibigay ng kapangyarihan upang matiyak ang normal na operasyon ng sistema ng server.Ang paggamit ng mga sangkap ng silicon carbide power sa server power supply ay maaaring mapabuti ang power density at kahusayan ng server power supply, bawasan ang volume ng data center sa kabuuan, bawasan ang kabuuang gastos sa pagtatayo ng data center, at makamit ang mas mataas na kapaligiran. kahusayan.

4. Uhv - Application ng flexible transmission DC circuit breaker.

5. Intercity high-speed rail at intercity rail transit -- traction converter, power electronic transformer, auxiliary converter, auxiliary power supply.