6inch 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N type para sa MOS o SBD Production Research at Dummy grade

Maikling Paglalarawan:

Ang 6-inch silicon carbide single crystal substrate ay isang high-performance na materyal na may mahusay na pisikal at kemikal na mga katangian.Ginawa mula sa high-purity na silicon carbide na solong kristal na materyal, nagpapakita ito ng superyor na thermal conductivity, mechanical stability, at high-temperature resistance.Ang substrate na ito, na ginawa gamit ang katumpakan na mga proseso ng pagmamanupaktura at mga de-kalidad na materyales, ay naging ang ginustong materyal para sa paggawa ng mataas na kahusayan na mga elektronikong aparato sa iba't ibang larangan.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Mga Patlang ng Application

Ang 6-inch na silicon carbide na solong kristal na substrate ay gumaganap ng isang mahalagang papel sa maraming mga industriya.Una, ito ay malawakang ginagamit sa industriya ng semiconductor para sa paggawa ng mga high-power na elektronikong kagamitan tulad ng power transistors, integrated circuits, at power modules.Ang mataas na thermal conductivity at mataas na temperatura na resistensya nito ay nagbibigay-daan sa mas mahusay na pag-alis ng init, na nagreresulta sa pinabuting kahusayan at pagiging maaasahan.Pangalawa, ang mga wafer ng silicon carbide ay mahalaga sa mga larangan ng pananaliksik para sa pagbuo ng mga bagong materyales at kagamitan.Bilang karagdagan, ang silicon carbide wafer ay nakakahanap ng malawak na aplikasyon sa larangan ng optoelectronics, kabilang ang pagmamanupaktura ng mga LED at laser diode.

Mga Detalye ng Produkto

Ang 6-inch na silicon carbide na solong kristal na substrate ay may diameter na 6 na pulgada (humigit-kumulang 152.4 mm).Ang pagkamagaspang sa ibabaw ay Ra <0.5 nm, at ang kapal ay 600 ± 25 μm.Maaaring i-customize ang substrate gamit ang alinman sa N-type o P-type na conductivity, batay sa mga kinakailangan ng customer.Bukod dito, ito ay nagpapakita ng pambihirang mekanikal na katatagan, na may kakayahang makatiis ng presyon at panginginig ng boses.

diameter		150±2.0mm（6inch）
kapal		350 μm±25μm
Oryentasyon		Sa axis: <0001>±0.5°		Off axis：4.0° patungo sa 1120±0.5°
Polytype		4H
Resistivity(Ω·cm)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Pangunahing patag na oryentasyon		{10-10}±5.0°
Pangunahing patag na haba (mm)		47.5 mm±2.5 mm
gilid		Chamfer
TTV/Bow /Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM Front (Si-face)		Polish Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Orange peel/pits/cracks/contamination/stains/striations		wala	wala		wala
mga indent		wala	wala		wala

Ang 6-inch silicon carbide single crystal substrate ay isang high-performance na materyal na malawakang ginagamit sa mga industriya ng semiconductor, pananaliksik, at optoelectronics.Nag-aalok ito ng mahusay na thermal conductivity, mechanical stability, at mataas na temperatura na resistensya, na ginagawang angkop para sa paggawa ng mga high-power na electronic device at bagong materyal na pananaliksik.Nagbibigay kami ng iba't ibang mga pagtutukoy at mga pagpipilian sa pagpapasadya upang matugunan ang magkakaibang mga pangangailangan ng customer.Makipag-ugnayan sa amin para sa higit pang mga detalye sa mga wafer ng silicon carbide!