8inch 200mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N type Production grade 500um kapal

Maikling Paglalarawan:

Shanghai Xinkehui Tech.Nag-aalok ang Co., Ltd ng pinakamahusay na seleksyon at mga presyo para sa mataas na kalidad na mga wafer ng silicon carbide at mga substrate na hanggang 8 pulgadang diyametro na may mga uri ng N- at semi-insulating.Ang maliliit at malalaking kumpanya ng semiconductor device at research lab sa buong mundo ay gumagamit at umaasa sa aming mga silicone carbide wafer.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

200mm 8inch SiC Substrate Detalye

Sukat: 8 pulgada;

Diameter: 200mm±0.2;

Kapal: 500um±25;

Surface Orientation: 4 patungo sa [11-20]±0.5°;

Oryentasyon ng bingaw:[1-100]±1°；

Lalim ng bingaw: 1±0.25mm；

Micropipe: <1cm2;

Hex Plate: Walang Pinahihintulutan;

Resistivity: 0.015~0.028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED:<6000cm2

BPD:<2000cm2

TSD:<1000cm2

SF: lugar<1%

TTV≤15um；

Warp≤40um；

Bow≤25um；

Mga poly area: ≤5%;

Scratch: <5 at Cumulative Length< 1 Wafer Diameter;

Mga Chip/Indent: Walang pinahihintulutan D>0.5mm Lapad at Lalim;

Bitak: Wala;

Mantsa: Wala

Wafer na gilid: Chamfer;

Surface finish: Double Side Polish, Si Face CMP;

Pag-iimpake: Multi-wafer Cassette O Single Wafer Container;

Ang kasalukuyang mga paghihirap sa paghahanda ng 200mm 4H-SiC crystals mainl

1) Ang paghahanda ng mataas na kalidad na 200mm 4H-SiC na mga seed crystal;

2) Malaking sukat ng field ng temperatura na hindi pagkakapareho at kontrol sa proseso ng nucleation;

3) Ang kahusayan sa transportasyon at ebolusyon ng mga gaseous na bahagi sa largeize crystal growth system;

4) Pag-crack ng kristal at paglaganap ng depekto na dulot ng malalaking sukat na pagtaas ng thermal stress.

Upang malampasan ang mga hamong ito at makakuha ng mataas na kalidad na 200mm SiC waferssolution ay iminungkahi:

Sa mga tuntunin ng 200mm seed crystal na paghahanda, naaangkop na temperatura fieldflow field, at pagpapalawak ng assembly ay pinag-aralan at idinisenyo upang isaalang-alang ang kalidad ng kristal at pagpapalawak ng laki;Simula sa 150mm SiC se:d crystal, magsagawa ng seed crystal iteration upang unti-unting palawakin ang SiC crystasize hanggang umabot ito sa 200mm;Sa pamamagitan ng maramihang paglaki at proseso ng kristal, unti-unting i-optimize ang kalidad ng kristal sa lugar na lumalawak na kristal, at pagbutihin ang kalidad ng 200mm na mga kristal na binhi.

Sa mga tuntunin ng 200mm conductive crystal at paghahanda ng substrate, na-optimize ng pananaliksik ang temperature feld at flow field na disenyo para sa malaking laki ng crystalgrowth, nagsasagawa ng 200mm conductive SiC crystal growth, at kontrolin ang pagkakapareho ng doping.Pagkatapos ng magaspang na pagproseso at paghubog ng kristal, nakuha ang isang 8-inchelectricaly conductive 4H-SiC ingot na may karaniwang diameter.Pagkatapos ng pagputol, paggiling, pag-polish, pagproseso upang makakuha ng SiC 200mm wafers na may kapal na 525um o higit pa