English

SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（High purity Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch available

SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（High purity Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch available Featured Image
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（High purity Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch available
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（High purity Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch available
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（High purity Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch available
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（High purity Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch available
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（High purity Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch available
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（High purity Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch available

Maikling Paglalarawan:

Nag-aalok kami ng magkakaibang seleksyon ng mga de-kalidad na SiC (Silicon Carbide) na mga wafer, na may partikular na pagtutok sa mga N-type na 4H-N at 6H-N na mga wafer, na mainam para sa mga aplikasyon sa mga advanced na optoelectronics, power device, at mataas na temperatura na kapaligiran . Ang mga N-type na wafer na ito ay kilala sa kanilang pambihirang thermal conductivity, pambihirang katatagan ng kuryente, at kahanga-hangang tibay, na ginagawa itong perpekto para sa mga application na may mataas na pagganap tulad ng mga power electronics, electric vehicle drive system, renewable energy inverters, at industrial power supply. Bilang karagdagan sa aming mga alok na N-type, nagbibigay din kami ng P-type na 4H/6H-P at 3C SiC na mga wafer para sa mga espesyal na pangangailangan, kabilang ang mga high-frequency at RF device, pati na rin ang mga photonic na application. Ang aming mga wafer ay magagamit sa mga laki mula sa 2 pulgada hanggang 8 pulgada, at nagbibigay kami ng mga pinasadyang solusyon upang matugunan ang mga partikular na pangangailangan ng iba't ibang sektor ng industriya. Para sa karagdagang mga detalye o katanungan, mangyaring huwag mag-atubiling makipag-ugnayan sa amin.


Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Mga Katangian

4H-N at 6H-N (N-type na SiC Wafers)

Application:Pangunahing ginagamit sa mga power electronics, optoelectronics, at mga application na may mataas na temperatura.

Saklaw ng Diameter:50.8 mm hanggang 200 mm.

kapal:350 μm ± 25 μm, na may opsyonal na kapal na 500 μm ± 25 μm.

Resistivity:N-type 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-grade), ≤ 0.3 Ω·cm (P-grade); N-type 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (Z-grade), ≤ 1 mΩ·cm (P-grade).

Kagaspangan:Ra ≤ 0.2 nm (CMP o MP).

Densidad ng Micropipe (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm para sa lahat ng diameters.

Warp: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para sa 8-inch na mga wafer).

Pagbubukod ng Edge:3 mm hanggang 6 mm depende sa uri ng wafer.

Packaging:Multi-wafer cassette o single wafer container.

Ohter available size 3inch 4inch 6inch 8inch

HPSI (High Purity Semi-Insulating SiC Wafers)

Application:Ginagamit para sa mga device na nangangailangan ng mataas na resistensya at stable na performance, gaya ng mga RF device, photonic application, at sensor.

Saklaw ng Diameter:50.8 mm hanggang 200 mm.

kapal:Karaniwang kapal na 350 μm ± 25 μm na may mga opsyon para sa mas makapal na wafer hanggang 500 μm.

Kagaspangan:Ra ≤ 0.2 nm.

Densidad ng Micropipe (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Resistivity:Mataas na resistensya, karaniwang ginagamit sa mga semi-insulating application.

Warp: ≤ 30 μm (para sa mas maliliit na sukat), ≤ 45 μm para sa mas malalaking diameter.

TTV: ≤ 10 μm.

Ohter available size 3inch 4inch 6inch 8inch

4H-P、6H-Pat3C SiC wafer(P-type na SiC Wafers)

Application:Pangunahin para sa mga power at high-frequency na device.

Saklaw ng Diameter:50.8 mm hanggang 200 mm.

kapal:350 μm ± 25 μm o naka-customize na mga opsyon.

Resistivity:P-type 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-grade), ≤ 0.3 Ω·cm (P-grade).

Kagaspangan:Ra ≤ 0.2 nm (CMP o MP).

Densidad ng Micropipe (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Pagbubukod ng Edge:3 mm hanggang 6 mm.

Warp: ≤ 30 μm para sa mas maliliit na laki, ≤ 45 μm para sa mas malalaking sukat.

Ohter available size 3inch 4inch 6inch5×5 10×10

Talahanayan ng Mga Parameter ng Bahagyang Data

Ari-arian

2 pulgada

3 pulgada

4 pulgada

6 pulgada

8 pulgada

Uri

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

diameter

50.8 ± 0.3 mm

76.2±0.3mm

100±0.3mm

150±0.3mm

200 ± 0.3 mm

kapal

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

o customized

o customized

o customized

o customized

o customized

Kagaspangan

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Warp

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Magkamot/Maghukay

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Hugis

Bilog, Flat 16mm；OF haba 22mm ; NG Haba 30/32.5mm; NG Haba47.5mm; NOTCH; NOTCH;

Bevel

45°, SEMI Spec; C Hugis

 Grade

Marka ng produksyon para sa MOS&SBD; Marka ng pananaliksik ; Dummy grade, Seed wafer Grade

Remarks

Diameter, Kapal, Oryentasyon, mga detalye sa itaas ay maaaring ipasadya sa iyong kahilingan

 

Mga aplikasyon

·Power Electronics

Ang mga N type na SiC na wafer ay mahalaga sa mga power electronic device dahil sa kanilang kakayahang humawak ng mataas na boltahe at mataas na kasalukuyang. Karaniwang ginagamit ang mga ito sa mga power converter, inverters, at motor drive para sa mga industriya tulad ng renewable energy, electric vehicle, at industrial automation.

· Optoelectronics
Ang mga N type na SiC na materyales, lalo na para sa mga optoelectronic na application, ay ginagamit sa mga device tulad ng light-emitting diodes (LEDs) at laser diodes. Ang kanilang mataas na thermal conductivity at malawak na bandgap ay ginagawa silang perpekto para sa mga high-performance na optoelectronic na device.

·Mga Application na Mataas ang Temperatura
Ang mga wafer ng 4H-N 6H-N SiC ay angkop para sa mga kapaligirang may mataas na temperatura, tulad ng sa mga sensor at power device na ginagamit sa aerospace, automotive, at mga pang-industriyang aplikasyon kung saan kritikal ang pagkawala ng init at katatagan sa matataas na temperatura.

·Mga RF Device
Ang 4H-N 6H-N SiC wafer ay ginagamit sa mga radio frequency (RF) na device na gumagana sa mga high-frequency range. Inilapat ang mga ito sa mga sistema ng komunikasyon, teknolohiya ng radar, at mga komunikasyon sa satellite, kung saan kinakailangan ang mataas na kahusayan at pagganap ng kuryente.

·Photonic Application
Sa photonics, ang mga SiC wafer ay ginagamit para sa mga device tulad ng photodetector at modulators. Ang mga natatanging katangian ng materyal ay nagpapahintulot na ito ay maging epektibo sa paggawa ng liwanag, modulasyon, at pagtuklas sa mga optical na sistema ng komunikasyon at mga imaging device.

·Mga sensor
Ang mga SiC wafer ay ginagamit sa iba't ibang mga aplikasyon ng sensor, lalo na sa malupit na kapaligiran kung saan maaaring mabigo ang iba pang mga materyales. Kabilang dito ang mga sensor ng temperatura, presyon, at kemikal, na mahalaga sa mga larangan tulad ng automotive, langis at gas, at pagsubaybay sa kapaligiran.

·Mga Electric Vehicle Drive Systems
Ang teknolohiya ng SiC ay gumaganap ng isang mahalagang papel sa mga de-koryenteng sasakyan sa pamamagitan ng pagpapabuti ng kahusayan at pagganap ng mga sistema ng pagmamaneho. Sa SiC power semiconductors, makakamit ng mga de-koryenteng sasakyan ang mas magandang buhay ng baterya, mas mabilis na tagal ng pag-charge, at mas mahusay na enerhiya.

·Mga Advanced na Sensor at Photonic Converter
Sa mga advanced na teknolohiya ng sensor, ang mga SiC wafer ay ginagamit para sa paggawa ng mga high-precision na sensor para sa mga application sa robotics, mga medikal na device, at pagsubaybay sa kapaligiran. Sa mga photonic converter, ang mga katangian ng SiC ay pinagsasamantalahan upang paganahin ang mahusay na pag-convert ng elektrikal na enerhiya sa mga optical signal, na mahalaga sa telekomunikasyon at mataas na bilis ng imprastraktura ng internet.

Q&A

Q：Ano ang 4H sa 4H SiC?
A：Ang "4H" sa 4H SiC ay tumutukoy sa kristal na istraktura ng silicon carbide, partikular na isang hexagonal na anyo na may apat na layer (H). Ang "H" ay nagpapahiwatig ng uri ng hexagonal polytype, na nakikilala ito mula sa iba pang mga SiC polytype tulad ng 6H o 3C.

Q：Ano ang thermal conductivity ng 4H-SiC?
A:Ang thermal conductivity ng 4H-SiC (Silicon Carbide) ay humigit-kumulang 490-500 W/m·K sa room temperature. Ang mataas na thermal conductivity na ito ay ginagawang perpekto para sa mga application sa power electronics at mga high-temperature na kapaligiran, kung saan ang mahusay na pag-alis ng init ay mahalaga.

  • Nakaraan:
  • Susunod:
    • Isulat ang iyong mensahe dito at ipadala ito sa amin

    Mga kategorya ng produkto

    Pindutin ang enter para maghanap o ESC para isara