Ang SiC wafers ay mga semiconductor na gawa sa silicon carbide.Ang materyal na ito ay binuo noong 1893 at perpekto para sa iba't ibang mga aplikasyon.Lalo na angkop para sa Schottky diodes, junction barrier Schottky diodes, switch at metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.Dahil sa mataas na tigas nito, ito ay isang mahusay na pagpipilian para sa mga power electronic na bahagi.
Sa kasalukuyan, mayroong dalawang pangunahing uri ng SiC wafers.Ang una ay isang pinakintab na wafer, na isang solong silicon carbide wafer.Ito ay gawa sa mataas na kadalisayan na mga kristal na SiC at maaaring 100mm o 150mm ang lapad.Ito ay ginagamit sa mataas na kapangyarihan na mga elektronikong aparato.Ang pangalawang uri ay epitaxial crystal silicon carbide wafer.Ang ganitong uri ng wafer ay ginawa sa pamamagitan ng pagdaragdag ng isang layer ng silicon carbide crystals sa ibabaw.Ang pamamaraang ito ay nangangailangan ng tumpak na kontrol sa kapal ng materyal at kilala bilang N-type na epitaxy.
Ang susunod na uri ay beta silicon carbide.Ang Beta SiC ay ginawa sa mga temperaturang higit sa 1700 degrees Celsius.Ang mga alpha carbide ay ang pinakakaraniwan at may heksagonal na istrakturang kristal na katulad ng wurtzite.Ang beta form ay katulad ng brilyante at ginagamit sa ilang mga application.Ito ay palaging ang unang pagpipilian para sa de-kuryenteng sasakyan kapangyarihan semi-tapos na mga produkto.Ilang third-party na silicon carbide wafer supplier ang kasalukuyang nagtatrabaho sa bagong materyal na ito.
Ang mga wafer ng ZMSH SiC ay napakasikat na materyales ng semiconductor.Ito ay isang mataas na kalidad na materyal na semiconductor na angkop para sa maraming mga aplikasyon.Ang ZMSH silicon carbide wafers ay isang napaka-kapaki-pakinabang na materyal para sa iba't ibang mga elektronikong aparato.Nagbibigay ang ZMSH ng malawak na hanay ng mataas na kalidad na SiC wafer at substrate.Available ang mga ito sa mga N-type at semi-insulated form.
2---Silicon Carbide: Patungo sa isang bagong panahon ng mga wafer
Mga pisikal na katangian at katangian ng silicon carbide
Ang Silicon carbide ay may espesyal na istraktura ng kristal, gamit ang isang hexagonal na malapit na nakaimpake na istraktura na katulad ng brilyante.Ang istrukturang ito ay nagbibigay-daan sa silicon carbide na magkaroon ng mahusay na thermal conductivity at mataas na temperatura na resistensya.Kung ikukumpara sa mga tradisyunal na materyales ng silicon, ang silicon carbide ay may mas malaking lapad ng band gap, na nagbibigay ng mas mataas na electron band spacing, na nagreresulta sa mas mataas na electron mobility at mas mababang leakage current.Bilang karagdagan, ang silicon carbide ay mayroon ding mas mataas na electron saturation drift speed at mas mababang resistivity ng materyal mismo, na nagbibigay ng mas mahusay na pagganap para sa mga high power na application.
Mga kaso ng aplikasyon at mga prospect ng mga wafer ng silicon carbide
Mga application ng power electronics
Ang silicone carbide wafer ay may malawak na pag-asam ng aplikasyon sa larangan ng power electronics.Dahil sa kanilang mataas na electron mobility at mahusay na thermal conductivity, ang mga SIC wafer ay maaaring gamitin upang gumawa ng mga high-power density switching device, tulad ng mga power module para sa mga de-koryenteng sasakyan at solar inverters.Ang katatagan ng mataas na temperatura ng mga wafer ng silicon carbide ay nagbibigay-daan sa mga device na ito na gumana sa mga kapaligirang may mataas na temperatura, na nagbibigay ng higit na kahusayan at pagiging maaasahan.
Mga aplikasyon ng optoelectronic
Sa larangan ng mga optoelectronic na aparato, ang mga wafer ng silicon carbide ay nagpapakita ng kanilang mga natatanging pakinabang.Ang silicone carbide material ay may malawak na band gap na katangian, na nagbibigay-daan dito upang makamit ang mataas na enerhiya ng photonon at mababang pagkawala ng liwanag sa mga optoelectronic na aparato.Ang mga silicone carbide wafer ay maaaring gamitin upang maghanda ng mga high-speed communication device, photodetector at laser.Ang napakahusay na thermal conductivity nito at mababang crystal defect density ay ginagawa itong perpekto para sa paghahanda ng mga de-kalidad na optoelectronic na aparato.
Outlook
Sa lumalaking pangangailangan para sa mataas na pagganap na mga elektronikong aparato, ang mga silicon carbide wafer ay may magandang kinabukasan bilang isang materyal na may mahusay na mga katangian at malawak na potensyal na aplikasyon.Sa patuloy na pagpapabuti ng teknolohiya ng paghahanda at pagbabawas ng gastos, isusulong ang komersyal na aplikasyon ng mga wafer ng silicon carbide.Inaasahan na sa susunod na ilang taon, ang mga silicon carbide wafer ay unti-unting papasok sa merkado at magiging pangunahing pagpipilian para sa mataas na kapangyarihan, mataas na dalas at mataas na temperatura na mga aplikasyon.
3---Malalim na pagsusuri ng SiC wafer market at mga uso sa teknolohiya
Malalim na pagsusuri ng mga driver ng merkado ng wafer ng silicon carbide (SiC).
Ang paglago ng merkado ng wafer ng silicon carbide (SiC) ay naiimpluwensyahan ng ilang mga pangunahing kadahilanan, at ang malalim na pagsusuri ng epekto ng mga salik na ito sa merkado ay kritikal.Narito ang ilan sa mga pangunahing driver ng merkado:
Pagtitipid ng enerhiya at proteksyon sa kapaligiran: Ang mataas na pagganap at mababang mga katangian ng pagkonsumo ng kuryente ng mga materyales na silicon carbide ay ginagawa itong popular sa larangan ng pagtitipid ng enerhiya at proteksyon sa kapaligiran.Ang pangangailangan para sa mga de-koryenteng sasakyan, solar inverters at iba pang mga aparato ng conversion ng enerhiya ay nagtutulak sa paglago ng merkado ng mga wafer ng silicon carbide dahil nakakatulong ito na mabawasan ang basura ng enerhiya.
Mga application ng Power Electronics: Ang Silicon carbide ay napakahusay sa mga power electronics application at maaaring gamitin sa power electronics sa ilalim ng mataas na presyon at mataas na temperatura na kapaligiran.Sa pagpapasikat ng renewable energy at pag-promote ng electric power transition, ang demand para sa mga silicon carbide wafers sa power electronics market ay patuloy na tumataas.
SiC wafer sa hinaharap na pag-unlad ng teknolohiya sa pagmamanupaktura trend detalyadong pagsusuri
Mass production at cost reduction: Ang hinaharap na SiC wafer manufacturing ay mas tututuon sa mass production at cost reduction.Kabilang dito ang mga pinahusay na diskarte sa paglago tulad ng chemical vapor deposition (CVD) at physical vapor deposition (PVD) upang mapataas ang produktibidad at mabawasan ang mga gastos sa produksyon.Bilang karagdagan, ang pag-ampon ng matalino at automated na proseso ng produksyon ay inaasahan na higit pang mapabuti ang kahusayan.
Bagong laki at istraktura ng wafer: Maaaring magbago ang laki at istraktura ng mga SiC wafer sa hinaharap upang matugunan ang mga pangangailangan ng iba't ibang mga aplikasyon.Maaaring kabilang dito ang mga mas malalaking diameter na wafer, heterogenous na istruktura, o multilayer na wafer para makapagbigay ng higit na kakayahang umangkop sa disenyo at mga opsyon sa pagganap.
Energy Efficiency at Green Manufacturing: Ang paggawa ng SiC wafers sa hinaharap ay maglalagay ng higit na diin sa energy efficiency at green manufacturing.Ang mga pabrika na pinapagana ng renewable energy, green materials, waste recycling at low-carbon production na proseso ay magiging uso sa pagmamanupaktura.
Oras ng post: Ene-19-2024