Sa kasalukuyan, ang aming kumpanya ay maaaring magpatuloy sa pagbibigay ng maliit na batch ng 8inchN type SiC wafers, kung mayroon kang sample na pangangailangan, mangyaring huwag mag-atubiling makipag-ugnayan sa akin.Mayroon kaming ilang sample na wafer na handa nang ipadala.
Sa larangan ng mga materyales ng semiconductor, ang kumpanya ay gumawa ng isang malaking tagumpay sa pananaliksik at pagpapaunlad ng malalaking sukat na SiC crystals.Sa pamamagitan ng paggamit ng sarili nitong mga seed crystals pagkatapos ng maraming round ng diameter enlargement, matagumpay na napalago ng kumpanya ang 8-inch N-type na SiC crystals, na nilulutas ang mahihirap na problema tulad ng hindi pantay na field ng temperatura, pag-crack ng kristal at pamamahagi ng hilaw na materyal sa phase ng gas sa proseso ng paglago ng 8-inch SIC crystals, at pinapabilis ang paglaki ng malalaking sukat na SIC crystals at ang autonomous at nakokontrol na teknolohiya sa pagproseso.Lubos na mapahusay ang core competitiveness ng kumpanya sa SiC single crystal substrate industry.Kasabay nito, aktibong itinataguyod ng kumpanya ang akumulasyon ng teknolohiya at proseso ng malalaking sukat na silicon carbide substrate preparation na pang-eksperimentong linya, pinapalakas ang teknikal na palitan at pang-industriya na pakikipagtulungan sa upstream at downstream na mga larangan, at nakikipagtulungan sa mga customer upang patuloy na umulit sa pagganap ng produkto, at sama-samang nagpo-promote ng bilis ng pang-industriya na aplikasyon ng mga materyales na silicon carbide.
| 8inch N-type SiC DSP Specs | |||||
| Numero | item | Yunit | Produksyon | Pananaliksik | Dummy |
| 1. Mga Parameter | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | oryentasyon sa ibabaw | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parameter ng elektrikal | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-type na Nitrogen | n-type na Nitrogen | n-type na Nitrogen |
| 2.2 | resistivity | ohm ·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. Parameter ng mekanikal | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | kapal | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | bingaw na oryentasyon | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Lalim ng bingaw | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | yumuko | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Estruktura | |||||
| 4.1 | density ng micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | nilalamang metal | atoms/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Positibong kalidad | |||||
| 5.1 | harap | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | ibabaw na tapusin | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | butil | ea/wafer | ≤100(laki≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | scratch | ea/wafer | ≤5, Kabuuang Haba≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | gilid chips/indents/cracks/stains/contamination | -- | wala | wala | NA |
| 5.6 | Mga lugar ng polytype | -- | wala | Lugar ≤10% | Lugar ≤30% |
| 5.7 | pagmamarka sa harap | -- | wala | wala | wala |
| 6. kalidad ng likod | |||||
| 6.1 | back finish | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | scratch | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Mga depekto sa likod na gilid chips/indents | -- | wala | wala | NA |
| 6.4 | Kagaspang sa likod | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Pagmarka sa likod | -- | bingaw | bingaw | bingaw |
| 7. Gilid | |||||
| 7.1 | gilid | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8. Pakete | |||||
| 8.1 | packaging | -- | Epi-ready na may vacuum packaging | Epi-ready na may vacuum packaging | Epi-ready na may vacuum packaging |
| 8.2 | packaging | -- | Multi-wafer packaging ng cassette | Multi-wafer packaging ng cassette | Multi-wafer packaging ng cassette |
Oras ng post: Abr-18-2023