8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy research grade

Dahil sa kakaibang pisikal at elektronikong katangian nito, ginagamit ang 200mm SiC wafer semiconductor na materyal upang lumikha ng mataas na pagganap, mataas na temperatura, lumalaban sa radiation, at mataas na dalas na mga elektronikong aparato. Ang 8inch na SiC substrate na presyo ay unti-unting bumababa habang ang teknolohiya ay nagiging mas advanced at ang demand ay lumalaki. Ang mga kamakailang pag-unlad ng teknolohiya ay humahantong sa paggawa ng scale ng produksyon ng 200mm SiC wafers. Ang mga pangunahing bentahe ng SiC wafer semiconductor na materyales kumpara sa Si at GaAs na mga wafer: Ang lakas ng patlang ng kuryente ng 4H-SiC sa panahon ng pagkasira ng avalanche ay higit sa isang order ng magnitude na mas mataas kaysa sa kaukulang mga halaga para sa Si at GaAs. Ito ay humahantong sa isang makabuluhang pagbaba sa on-state resistivity Ron. Ang mababang resistivity sa estado, na sinamahan ng mataas na kasalukuyang density at thermal conductivity, ay nagbibigay-daan sa paggamit ng napakaliit na die para sa mga power device. Ang mataas na thermal conductivity ng SiC ay binabawasan ang thermal resistance ng chip. Ang mga elektronikong katangian ng mga device na nakabatay sa SiC wafers ay napaka-stable sa paglipas ng panahon at sa temperature stable, na nagsisiguro ng mataas na pagiging maaasahan ng mga produkto. Ang Silicon carbide ay lubos na lumalaban sa matigas na radiation, na hindi nagpapasama sa mga elektronikong katangian ng chip. Ang mataas na paglilimita sa temperatura ng pagpapatakbo ng kristal (higit sa 6000C) ay nagbibigay-daan sa iyo na lumikha ng lubos na maaasahang mga aparato para sa malupit na mga kondisyon sa pagpapatakbo at mga espesyal na aplikasyon. Sa kasalukuyan, maaari kaming mag-supply ng maliit na batch na 200mmSiC na mga wafer nang tuluy-tuloy at tuluy-tuloy at may ilang stock sa bodega.