3 pulgada 76.2mm 4H-Semi SiC substrate wafer na Silicon Carbide Semi-insulting SiC wafers

Maikling Paglalarawan:

Mataas na kalidad na single crystal SiC wafer (Silicon Carbide) para sa industriya ng elektroniko at optoelectronic. Ang 3-pulgadang SiC wafer ay isang susunod na henerasyon ng semiconductor material, semi-insulating silicon-carbide wafers na may 3-pulgadang diyametro. Ang mga wafer ay inilaan para sa paggawa ng mga power, RF at optoelectronics device.

Magpadala ng email sa amin

Mga Tampok

Espesipikasyon ng Produkto

Ang 3-pulgadang 4H semi-insulated SiC (silicon carbide) substrate wafers ay isang karaniwang ginagamit na materyal na semiconductor. Ang 4H ay nagpapahiwatig ng istrukturang kristal na tetrahexahedral. Ang semi-insulation ay nangangahulugan na ang substrate ay may mataas na katangian ng resistensya at maaaring medyo nakahiwalay sa daloy ng kuryente.

Ang mga ganitong substrate wafer ay may mga sumusunod na katangian: mataas na thermal conductivity, mababang conduction loss, mahusay na resistensya sa mataas na temperatura, at mahusay na mekanikal at kemikal na katatagan. Dahil ang silicon carbide ay may malawak na energy gap at kayang tiisin ang mataas na temperatura at mataas na kondisyon ng electric field, ang 4H-SiC semi-insulated wafers ay malawakang ginagamit sa power electronics at mga radio frequency (RF) device.

Ang mga pangunahing aplikasyon ng 4H-SiC semi-insulated wafers ay kinabibilangan ng:

1--Power electronics: Ang mga 4H-SiC wafer ay maaaring gamitin sa paggawa ng mga power switching device tulad ng mga MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) at Schottky diode. Ang mga device na ito ay may mas mababang conduction at switching losses sa mga kapaligirang may mataas na boltahe at mataas na temperatura at nag-aalok ng mas mataas na kahusayan at pagiging maaasahan.

2--Mga Kagamitang Radio Frequency (RF): Ang mga 4H-SiC semi-insulated wafer ay maaaring gamitin upang gumawa ng mga high-power, high frequency RF power amplifier, chip resistor, filter, at iba pang mga aparato. Ang Silicon carbide ay may mas mahusay na high-frequency performance at thermal stability dahil sa mas malaking electron saturation drift rate at mas mataas na thermal conductivity.

3--Mga aparatong optoelektroniko: Ang mga 4H-SiC semi-insulated wafer ay maaaring gamitin sa paggawa ng mga high-power laser diode, UV light detector at optoelectronic integrated circuit.

Kung pag-uusapan ang direksyon ng merkado, ang pangangailangan para sa 4H-SiC semi-insulated wafers ay tumataas kasabay ng lumalaking larangan ng power electronics, RF at optoelectronics. Ito ay dahil sa ang silicon carbide ay may malawak na hanay ng mga aplikasyon, kabilang ang kahusayan sa enerhiya, mga de-kuryenteng sasakyan, renewable energy at komunikasyon. Sa hinaharap, ang merkado para sa 4H-SiC semi-insulated wafers ay nananatiling napaka-promising at inaasahang papalit sa mga kumbensyonal na materyales na silicon sa iba't ibang aplikasyon.