2inch 50.8mm Germanium Wafer Substrate Isang kristal 1SP 2SP

2inch 50.8mm Germanium Wafer Substrate Single crystal 1SP 2SP Itinatampok na Larawan

Maikling Paglalarawan:

Ang high purity germanium ay isang semiconductor material na ginagamit sa paggawa ng mga semiconductor device.Ang Germanium single crystal doped na may trace specific na impurities ay maaaring gamitin para gumawa ng iba't ibang transistor, rectifier at iba pang device.Ang mataas na kadalisayan ng germanium solong kristal ay may mataas na koepisyent ng repraksyon, transparent sa infrared, hindi sa pamamagitan ng nakikita at infrared na ilaw, ay maaaring gamitin bilang isang prisma o lens para sa infrared na ilaw.Ang mga compound ng Germanium ay ginagamit sa paggawa ng mga fluorescent plate at iba't ibang mataas na repraktibo na salamin.Ginagamit din ito sa mga radiation detector at thermoelectric na materyales.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Detalyadong impormasyon

Ang Germanium chips ay may mga katangian ng semiconductor.May mahalagang papel sa pagbuo ng solid state physics at solid state electronics.Ang Germanium ay may melting density na 5.32g/cm 3, ang germanium ay maaaring mauri bilang isang manipis na nakakalat na metal, germanium na kemikal na katatagan, hindi nakikipag-ugnayan sa hangin o singaw ng tubig sa temperatura ng silid, ngunit sa 600 ~ 700 ℃, ang germanium dioxide ay mabilis na nabuo .Hindi gumagana sa hydrochloric acid, dilute sulfuric acid.Kapag pinainit ang puro sulfuric acid, dahan-dahang matutunaw ang germanium.Sa nitric acid at aqua regia, ang germanium ay madaling matunaw.Ang epekto ng alkali solution sa germanium ay napakahina, ngunit ang tunaw na alkali sa hangin ay maaaring mabilis na matunaw ang germanium.Ang Germanium ay hindi gumagana sa carbon, kaya ito ay natutunaw sa isang graphite crucible at hindi kontaminado ng carbon.Ang Germanium ay may magandang katangian ng semiconductor, tulad ng electron mobility, hole mobility at iba pa.Ang pag-unlad ng germanium ay may malaking potensyal pa rin.

Pagtutukoy

Paraan ng paglago	CZ
kristal instuture	Sistema ng kubiko
Pana-panahong sala-sala	a=5.65754 Å
Densidad	5.323g/cm3
Temperatura ng pagkatunaw	937.4 ℃
Doping	I-un-doping	Doping-Sb	Doping-Ga
Uri	/	N	P
paglaban	＞35Ωcm	0.01~35 Ωcm	0.05~35 Ωcm
EPD	＜4×10³∕cm2	＜4×10³∕cm2	＜4×10³∕cm2
diameter	2inch/50.8 mm
kapal	0.5mm, 1.0mm
Ibabaw	DSP at SSP
Oryentasyon	<100>、<110>,<111>、±0.5º
Ra	≤5Å（5µm×5µm）
Package	100 grade package ，1000 grade room