English

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch Itinatampok na Larawan
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

Maikling Paglalarawan:

Nag-aalok kami ng iba't ibang seleksyon ng mga de-kalidad na SiC (Silicon Carbide) wafer, na may partikular na pokus sa mga N-type 4H-N at 6H-N wafer, na mainam para sa mga aplikasyon sa mga advanced na optoelectronics, mga power device, at mga kapaligirang may mataas na temperatura. Ang mga N-type wafer na ito ay kilala sa kanilang pambihirang thermal conductivity, natatanging electrical stability, at kahanga-hangang tibay, na ginagawa silang perpekto para sa mga high-performance na aplikasyon tulad ng power electronics, electric vehicle drive system, renewable energy inverter, at mga industrial power supply. Bukod sa aming mga alok na N-type, nagbibigay din kami ng mga P-type 4H/6H-P at 3C SiC wafer para sa mga espesyal na pangangailangan, kabilang ang mga high-frequency at RF device, pati na rin ang mga photonic application. Ang aming mga wafer ay makukuha sa mga sukat mula 2 pulgada hanggang 8 pulgada, at nagbibigay kami ng mga pinasadyang solusyon upang matugunan ang mga partikular na pangangailangan ng iba't ibang sektor ng industriya. Para sa karagdagang detalye o mga katanungan, mangyaring huwag mag-atubiling makipag-ugnayan sa amin.


Mga Tampok

Mga Ari-arian

4H-N at 6H-N (N-type SiC Wafers)

Aplikasyon:Pangunahing ginagamit sa power electronics, optoelectronics, at mga aplikasyon sa mataas na temperatura.

Saklaw ng Diyametro:50.8 mm hanggang 200 mm.

Kapal:350 μm ± 25 μm, na may opsyonal na kapal na 500 μm ± 25 μm.

Resistivity:N-type 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-grade), ≤ 0.3 Ω·cm (P-grade); N-type 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (Z-grade), ≤ 1 mΩ·cm (P-grade).

Kagaspangan:Ra ≤ 0.2 nm (CMP o MP).

Densidad ng Mikropipe (MPD):< 1 bawat isa/cm².

TTV: ≤ 10 μm para sa lahat ng diyametro.

Warp: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para sa 8-pulgadang wafer).

Pagbubukod sa Gilid:3 mm hanggang 6 mm depende sa uri ng wafer.

Pagbabalot:Lalagyan ng wafer na may maraming laman o lalagyan ng iisang wafer.

Iba pang sukat na available: 3 pulgada, 4 pulgada, 6 pulgada, 8 pulgada

HPSI (Mga Wafer na SiC na may Mataas na Kadalisayan na Semi-Insulating)

Aplikasyon:Ginagamit para sa mga device na nangangailangan ng mataas na resistensya at matatag na pagganap, tulad ng mga RF device, photonic application, at sensor.

Saklaw ng Diyametro:50.8 mm hanggang 200 mm.

Kapal:Karaniwang kapal na 350 μm ± 25 μm na may mga opsyon para sa mas makapal na wafer hanggang 500 μm.

Kagaspangan:Ra ≤ 0.2 nm.

Densidad ng Mikropipe (MPD): ≤ 1 bawat isa/cm².

Resistivity:Mataas na resistensya, karaniwang ginagamit sa mga aplikasyong semi-insulating.

Warp: ≤ 30 μm (para sa mas maliliit na sukat), ≤ 45 μm para sa mas malalaking diyametro.

TTV: ≤ 10 µm.

Iba pang sukat na available: 3 pulgada, 4 pulgada, 6 pulgada, 8 pulgada

4H-P、6H-P&3C SiC wafer(Mga P-type na SiC Wafer)

Aplikasyon:Pangunahin para sa mga power at high-frequency na device.

Saklaw ng Diyametro:50.8 mm hanggang 200 mm.

Kapal:350 μm ± 25 μm o mga customized na opsyon.

Resistivity:Uri-P 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Baitang-Z), ≤ 0.3 Ω·cm (Baitang-P).

Kagaspangan:Ra ≤ 0.2 nm (CMP o MP).

Densidad ng Mikropipe (MPD):< 1 bawat isa/cm².

TTV: ≤ 10 µm.

Pagbubukod sa Gilid:3 mm hanggang 6 mm.

Warp: ≤ 30 μm para sa mas maliliit na sukat, ≤ 45 μm para sa mas malalaking sukat.

Iba pang sukat na available: 3 pulgada, 4 pulgada, 6 pulgada5×5 10×10

Talahanayan ng mga Bahagyang Parameter ng Datos

Ari-arian

2 pulgada

3 pulgada

4 na pulgada

6 na pulgada

8 pulgada

Uri

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diyametro

50.8 ± 0.3 mm

76.2±0.3mm

100±0.3mm

150±0.3mm

200 ± 0.3 mm

Kapal

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

o na-customize

o na-customize

o na-customize

o na-customize

o na-customize

Kagaspangan

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Warp

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Magkalmot/Maghukay

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Hugis

Bilog, Patag 16mm; NG haba 22mm; NG Haba 30/32.5mm; NG Haba 47.5mm; BIGAT; BIGAT;

Bevel

45°, SEMI Spec; Hugis C

 Baitang

Grado ng produksyon para sa MOS&SBD; Grado ng pananaliksik; Grado ng dummy, Grado ng seed wafer

Mga Paalala

Diametro, Kapal, Oryentasyon, mga detalye sa itaas ay maaaring ipasadya ayon sa iyong kahilingan

 

Mga Aplikasyon

·Elektroniks ng Enerhiya

Ang mga N type SiC wafer ay mahalaga sa mga power electronic device dahil sa kakayahan nitong humawak ng mataas na boltahe at mataas na kuryente. Karaniwang ginagamit ang mga ito sa mga power converter, inverter, at motor drive para sa mga industriya tulad ng renewable energy, mga electric vehicle, at industrial automation.

· Optoelektronika
Ang mga materyales na N-type SiC, lalo na para sa mga aplikasyong optoelectronic, ay ginagamit sa mga aparatong tulad ng light-emitting diode (LED) at laser diode. Ang kanilang mataas na thermal conductivity at malawak na bandgap ay ginagawa silang mainam para sa mga high-performance na optoelectronic device.

·Mga Aplikasyon sa Mataas na Temperatura
Ang mga 4H-N 6H-N SiC wafer ay angkop para sa mga kapaligirang may mataas na temperatura, tulad ng sa mga sensor at mga power device na ginagamit sa aerospace, automotive, at industrial na aplikasyon kung saan kritikal ang pagkalat ng init at katatagan sa mataas na temperatura.

·Mga Kagamitang RF
Ang mga 4H-N 6H-N SiC wafer ay ginagamit sa mga radio frequency (RF) device na gumagana sa mga high-frequency range. Ginagamit ang mga ito sa mga sistema ng komunikasyon, teknolohiya ng radar, at komunikasyon sa satellite, kung saan kinakailangan ang mataas na kahusayan at pagganap ng kuryente.

·Mga Aplikasyon ng Photonic
Sa photonics, ang mga SiC wafer ay ginagamit para sa mga aparato tulad ng mga photodetector at modulator. Ang mga natatanging katangian ng materyal ay nagbibigay-daan dito upang maging epektibo sa pagbuo ng liwanag, modulasyon, at pagtukoy sa mga optical communication system at mga imaging device.

·Mga Sensor
Ang mga SiC wafer ay ginagamit sa iba't ibang aplikasyon ng sensor, lalo na sa malupit na kapaligiran kung saan maaaring masira ang ibang mga materyales. Kabilang dito ang temperatura, presyon, at mga kemikal na sensor, na mahalaga sa mga larangan tulad ng automotive, langis at gas, at pagsubaybay sa kapaligiran.

·Mga Sistema ng Pagmamaneho ng Sasakyang Elektrikal
Ang teknolohiyang SiC ay gumaganap ng mahalagang papel sa mga de-kuryenteng sasakyan sa pamamagitan ng pagpapabuti ng kahusayan at pagganap ng mga sistema ng pagmamaneho. Gamit ang mga SiC power semiconductor, ang mga de-kuryenteng sasakyan ay maaaring makamit ang mas mahusay na buhay ng baterya, mas mabilis na oras ng pag-charge, at mas mataas na kahusayan sa enerhiya.

·Mga Advanced Sensor at Photonic Converter
Sa mga makabagong teknolohiya ng sensor, ang mga SiC wafer ay ginagamit para sa paglikha ng mga high-precision sensor para sa mga aplikasyon sa robotics, mga medikal na aparato, at pagsubaybay sa kapaligiran. Sa mga photonic converter, ang mga katangian ng SiC ay ginagamit upang paganahin ang mahusay na pag-convert ng enerhiyang elektrikal sa mga optical signal, na mahalaga sa telekomunikasyon at imprastraktura ng high-speed internet.

Tanong at Sagot

QAno ang 4H sa 4H SiC?
A：Ang "4H" sa 4H SiC ay tumutukoy sa istrukturang kristal ng silicon carbide, partikular na isang hexagonal na anyo na may apat na patong (H). Ang "H" ay nagpapahiwatig ng uri ng hexagonal polytype, na nagpapaiba dito mula sa iba pang mga SiC polytype tulad ng 6H o 3C.

QAno ang thermal conductivity ng 4H-SiC?
AAng thermal conductivity ng 4H-SiC (Silicon Carbide) ay humigit-kumulang 490-500 W/m·K sa temperatura ng silid. Ang mataas na thermal conductivity na ito ay ginagawa itong mainam para sa mga aplikasyon sa power electronics at mga kapaligirang may mataas na temperatura, kung saan mahalaga ang mahusay na pagpapakalat ng init.

  • Nakaraan:
  • Susunod:

    • Mga Kaugnay na Produkto

    Isulat ang iyong mensahe dito at ipadala ito sa amin
    Pindutin ang enter para maghanap o ESC para isara