Gallium Nitride sa Silicon wafer na 4 pulgada 6 pulgadang Iniayon na Si Substrate Oryentasyon, Resistivity, at mga Opsyon sa N-type/P-type

Itinatampok na Larawan ang Gallium Nitride sa Silicon wafer na 4 pulgada 6 pulgadang Iniayon na Si Substrate Oryentasyon, Resistivity, at mga Opsyon sa N-type/P-type

Maikling Paglalarawan:

Ang aming Customized Gallium Nitride on Silicon (GaN-on-Si) Wafers ay dinisenyo upang matugunan ang tumataas na pangangailangan ng mga high-frequency at high-power electronic applications. Makukuha sa parehong 4-pulgada at 6-pulgadang laki ng wafer, ang mga wafer na ito ay nag-aalok ng mga opsyon sa pagpapasadya para sa oryentasyon ng Si substrate, resistivity, at doping type (N-type/P-type) upang umangkop sa mga partikular na pangangailangan sa aplikasyon. Pinagsasama ng teknolohiyang GaN-on-Si ang mga bentahe ng gallium nitride (GaN) sa murang silicon (Si) substrate, na nagbibigay-daan sa mas mahusay na thermal management, mas mataas na kahusayan, at mas mabilis na switching speed. Dahil sa kanilang malawak na bandgap at mababang electrical resistance, ang mga wafer na ito ay mainam para sa power conversion, mga aplikasyon ng RF, at mga high-speed data transfer system.

Magpadala ng email sa amin

Mga Tampok

●Malapad na Bandgap:Ang GaN (3.4 eV) ay nagbibigay ng malaking pagpapabuti sa high-frequency, high-power, at high-temperature performance kumpara sa tradisyonal na silicon, kaya mainam ito para sa mga power device at RF amplifier.
●Nako-customize na Oryentasyon ng Si Substrate:Pumili mula sa iba't ibang oryentasyon ng Si substrate tulad ng <111>, <100>, at iba pa upang tumugma sa mga partikular na kinakailangan ng device.
●Pasadyang Resistivity:Pumili sa pagitan ng iba't ibang opsyon sa resistivity para sa Si, mula semi-insulating hanggang sa high-resistivity at low-resistivity para ma-optimize ang performance ng device.
●Uri ng Pagdodope:Makukuha sa N-type o P-type na doping upang tumugma sa mga kinakailangan ng mga power device, RF transistor, o LED.
●Mataas na Boltahe ng Pagkasira:Ang mga GaN-on-Si wafer ay may mataas na breakdown voltage (hanggang 1200V), na nagpapahintulot sa mga ito na pangasiwaan ang mga aplikasyon na may mataas na boltahe.
●Mas Mabilis na Paglipat:Ang GaN ay may mas mataas na electron mobility at mas mababang switching losses kaysa sa silicon, na ginagawang mainam ang mga GaN-on-Si wafer para sa mga high-speed circuit.
●Pinahusay na Pagganap sa Init:Sa kabila ng mababang thermal conductivity ng silicon, ang GaN-on-Si ay nag-aalok pa rin ng superior thermal stability, na may mas mahusay na heat dissipation kaysa sa mga tradisyunal na silicon device.

Mga Teknikal na Espesipikasyon

Parametro	Halaga
Sukat ng Wafer	4-pulgada, 6-pulgada
Oryentasyon ng Si Substrate	<111>, <100>, pasadya
Resistivity ng Si	Mataas na resistivity, Semi-insulating, Mababang resistivity
Uri ng Pagdodope	Uri-N, Uri-P
Kapal ng Patong na GaN	100 nm – 5000 nm (napapasadyang)
AlGaN Harang na Patong	24% – 28% Al (karaniwang 10-20 nm)
Boltahe ng Pagkasira	600V – 1200V
Mobilidad ng Elektron	2000 cm²/V·s
Dalas ng Paglipat	Hanggang 18 GHz
Kagaspangan ng Ibabaw ng Wafer	RMS ~0.25 nm (AFM)
Paglaban sa GaN Sheet	437.9 Ω·cm²
Kabuuang Wafer Warp	< 25 µm (pinakamataas)
Konduktibidad ng Termal	1.3 – 2.1 W/cm·K

Mga Aplikasyon

Elektroniks ng EnerhiyaAng GaN-on-Si ay mainam para sa mga power electronics tulad ng mga power amplifier, converter, at inverter na ginagamit sa mga renewable energy system, electric vehicles (EV), at mga kagamitang pang-industriya. Ang mataas na breakdown voltage at mababang on-resistance nito ay nagsisiguro ng mahusay na power conversion, kahit na sa mga high-power na aplikasyon.

Komunikasyon ng RF at MicrowaveAng mga GaN-on-Si wafer ay nag-aalok ng mga kakayahan sa high-frequency, na ginagawa silang perpekto para sa mga RF power amplifier, komunikasyon sa satellite, mga radar system, at mga teknolohiyang 5G. May mas mataas na bilis ng paglipat at kakayahang gumana sa mas mataas na frequency (hanggang18 GHz), ang mga GaN device ay nag-aalok ng higit na mahusay na pagganap sa mga aplikasyong ito.

Mga Elektronikong Pang-SasakyanAng GaN-on-Si ay ginagamit sa mga sistema ng kuryente ng sasakyan, kabilang angmga on-board charger (OBC)atMga DC-DC converterAng kakayahang gumana sa mas mataas na temperatura at makatiis sa mas mataas na antas ng boltahe ay ginagawa itong angkop para sa mga aplikasyon ng electric vehicle na nangangailangan ng matibay na conversion ng kuryente.

LED at Optoelektronika: Ang GaN ang materyal na pinipili para sa asul at puting mga LEDAng mga GaN-on-Si wafer ay ginagamit upang makagawa ng mga high-efficiency na LED lighting system, na nagbibigay ng mahusay na pagganap sa pag-iilaw, mga teknolohiya ng display, at optical communications.

Tanong at Sagot

T1: Ano ang bentahe ng GaN kumpara sa silicon sa mga elektronikong aparato?

A1:Ang GaN ay mayroongmas malawak na bandgap (3.4 eV)kaysa sa silicon (1.1 eV), na nagpapahintulot dito na makayanan ang mas matataas na boltahe at temperatura. Ang katangiang ito ay nagbibigay-daan sa GaN na mas mahusay na pangasiwaan ang mga aplikasyon na may mataas na lakas, na binabawasan ang pagkawala ng kuryente at pinapataas ang pagganap ng sistema. Nag-aalok din ang GaN ng mas mabilis na bilis ng paglipat, na mahalaga para sa mga high-frequency device tulad ng mga RF amplifier at power converter.

T2: Maaari ko bang ipasadya ang oryentasyon ng Si substrate para sa aking aplikasyon?

A2:Oo, nag-aalok kaminapapasadyang mga oryentasyon ng substrate ng Situlad ng<111>, <100>, at iba pang mga oryentasyon depende sa mga kinakailangan ng iyong device. Ang oryentasyon ng Si substrate ay gumaganap ng mahalagang papel sa pagganap ng device, kabilang ang mga katangiang elektrikal, thermal na pag-uugali, at mekanikal na katatagan.

T3: Ano ang mga benepisyo ng paggamit ng mga GaN-on-Si wafer para sa mga aplikasyong may mataas na dalas?

A3:Ang mga wafer ng GaN-on-Si ay nag-aalok ng higit na mahusaymga bilis ng pagpapalit, na nagbibigay-daan sa mas mabilis na operasyon sa mas mataas na frequency kumpara sa silicon. Ginagawa nitong mainam ang mga ito para saRFatmicrowavemga aplikasyon, pati na rin ang mataas na dalasmga aparatong pang-kuryentetulad ngMga HEMT(Mga Transistor na May Mataas na Elektron na Mobilidad) atMga RF amplifierAng mas mataas na electron mobility ng GaN ay nagreresulta rin sa mas mababang switching losses at pinahusay na kahusayan.

T4: Anong mga opsyon sa doping ang magagamit para sa mga GaN-on-Si wafer?

A4:Nag-aalok kami ng parehoUri-NatUri-Pmga opsyon sa doping, na karaniwang ginagamit para sa iba't ibang uri ng mga semiconductor device.N-type na dopingay mainam para samga transistor ng kuryenteatMga RF amplifier, habangPagdodoping na uri-Pay kadalasang ginagamit para sa mga optoelectronic device tulad ng mga LED.

Konklusyon

Ang aming Customized Gallium Nitride on Silicon (GaN-on-Si) Wafers ay nagbibigay ng mainam na solusyon para sa mga aplikasyon na may mataas na frequency, mataas na power, at mataas na temperatura. Gamit ang mga napapasadyang oryentasyon ng Si substrate, resistivity, at N-type/P-type doping, ang mga wafer na ito ay iniayon upang matugunan ang mga partikular na pangangailangan ng mga industriya mula sa power electronics at mga sistema ng sasakyan hanggang sa RF communication at mga teknolohiya ng LED. Gamit ang mga superior na katangian ng GaN at ang scalability ng silicon, ang mga wafer na ito ay nag-aalok ng pinahusay na pagganap, kahusayan, at pagiging maaasahan sa hinaharap para sa mga susunod na henerasyon ng mga device.