Ang Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N type Dummy/prime grade na kapal ay maaaring ipasadya
Mga Ari-arian
Baitang: Baitang ng Produksyon (Dummy/Prime)
Sukat: 6-pulgadang diyametro
Diyametro: 150.25mm ± 0.25mm
Kapal: >10mm (Maaaring i-customize ang kapal kapag hiniling)
Oryentasyon ng Ibabaw: 4° patungo sa <11-20> ± 0.2°, na nagsisiguro ng mataas na kalidad ng kristal at tumpak na pagkakahanay para sa paggawa ng aparato.
Pangunahing Patag na Oryentasyon: <1-100> ± 5°, isang mahalagang katangian para sa mahusay na paghiwa ng ingot upang maging mga wafer at para sa pinakamainam na paglaki ng kristal.
Pangunahing Patag na Haba: 47.5mm ± 1.5mm, dinisenyo para sa madaling paghawak at katumpakan ng pagputol.
Resistivity: 0.015–0.0285 Ω·cm, mainam para sa mga aplikasyon sa mga high-efficiency power device.
Densidad ng Mikropipe: <0.5, tinitiyak ang minimal na mga depekto na maaaring makaapekto sa pagganap ng mga ginawang aparato.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, isang mababang halaga na nagpapahiwatig ng mataas na kadalisayan ng kristal at mababang densidad ng depekto.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, tinitiyak ang mahusay na integridad ng materyal para sa mga high-performance na device.
Mga Lugar na Polytype: Wala – ang ingot ay walang mga depekto sa polytype, na nag-aalok ng higit na mataas na kalidad ng materyal para sa mga high-end na aplikasyon.
Mga Indent sa Gilid: <3, na may 1mm na lapad at lalim, na tinitiyak ang minimal na pinsala sa ibabaw at pinapanatili ang integridad ng ingot para sa mahusay na paghiwa ng wafer.
Mga Bitak sa Gilid: 3, <1mm bawat isa, na may mababang posibilidad ng pinsala sa gilid, na tinitiyak ang ligtas na paghawak at karagdagang pagproseso.
Pag-iimpake: Lalagyan ng wafer – ang SiC ingot ay ligtas na nakaimpake sa isang lalagyan ng wafer upang matiyak ang ligtas na transportasyon at paghawak.
Mga Aplikasyon
Elektroniks ng Enerhiya:Ang 6-pulgadang SiC ingot ay malawakang ginagamit sa paggawa ng mga power electronic device tulad ng mga MOSFET, IGBT, at diode, na mahahalagang bahagi sa mga power conversion system. Ang mga device na ito ay malawakang ginagamit sa mga electric vehicle (EV) inverter, industrial motor drive, power supply, at energy storage system. Ang kakayahan ng SiC na gumana sa matataas na boltahe, matataas na frequency, at matinding temperatura ay ginagawa itong mainam para sa mga aplikasyon kung saan ang mga tradisyonal na silicon (Si) device ay mahihirapang gumana nang mahusay.
Mga Sasakyang De-kuryente (EV):Sa mga de-kuryenteng sasakyan, ang mga bahaging nakabatay sa SiC ay mahalaga para sa pagbuo ng mga power module sa mga inverter, DC-DC converter, at on-board charger. Ang superior thermal conductivity ng SiC ay nagbibigay-daan para sa nabawasang pagbuo ng init at mas mahusay na kahusayan sa power conversion, na mahalaga para sa pagpapahusay ng performance at driving range ng mga de-kuryenteng sasakyan. Bukod pa rito, ang mga SiC device ay nagbibigay-daan sa mas maliliit, mas magaan, at mas maaasahang mga bahagi, na nakakatulong sa pangkalahatang performance ng mga EV system.
Mga Sistema ng Nababagong Enerhiya:Ang mga SiC ingot ay isang mahalagang materyal sa pagbuo ng mga power conversion device na ginagamit sa mga renewable energy system, kabilang ang mga solar inverter, wind turbine, at mga solusyon sa pag-iimbak ng enerhiya. Ang mataas na kakayahan ng SiC sa paghawak ng kuryente at mahusay na thermal management ay nagbibigay-daan para sa mas mataas na kahusayan sa conversion ng enerhiya at pinahusay na pagiging maaasahan sa mga sistemang ito. Ang paggamit nito sa renewable energy ay nakakatulong upang itulak ang mga pandaigdigang pagsisikap tungo sa pagpapanatili ng enerhiya.
Telekomunikasyon:Ang 6-pulgadang SiC ingot ay angkop din para sa paggawa ng mga bahaging ginagamit sa mga high-power RF (radio frequency) na aplikasyon. Kabilang dito ang mga amplifier, oscillator, at filter na ginagamit sa mga sistema ng telekomunikasyon at satellite communication. Ang kakayahan ng SiC na pangasiwaan ang matataas na frequency at mataas na power ay ginagawa itong isang mahusay na materyal para sa mga aparatong telekomunikasyon na nangangailangan ng matibay na pagganap at kaunting pagkawala ng signal.
Aerospace at Depensa:Ang mataas na breakdown voltage ng SiC at ang resistensya nito sa mataas na temperatura ay ginagawa itong mainam para sa mga aplikasyon sa aerospace at depensa. Ang mga bahaging gawa sa SiC ingot ay ginagamit sa mga radar system, satellite communication, at power electronics para sa mga sasakyang panghimpapawid at spacecraft. Ang mga materyales na nakabatay sa SiC ay nagbibigay-daan sa mga aerospace system na gumana sa ilalim ng matinding mga kondisyon na nakatagpo sa kalawakan at mga kapaligirang may mataas na altitude.
Awtomasyon sa Industriya:Sa industrial automation, ang mga SiC component ay ginagamit sa mga sensor, actuator, at control system na kailangang gumana sa malupit na kapaligiran. Ang mga SiC-based device naman ay ginagamit sa mga makinarya na nangangailangan ng mahusay at pangmatagalang mga component na kayang tiisin ang mataas na temperatura at mga electrical stress.
Talahanayan ng Espesipikasyon ng Produkto
| Ari-arian | Espesipikasyon |
| Baitang | Produksyon (Dummy/Prime) |
| Sukat | 6-pulgada |
| Diyametro | 150.25mm ± 0.25mm |
| Kapal | >10mm (Napapasadyang) |
| Oryentasyon sa Ibabaw | 4° patungo sa <11-20> ± 0.2° |
| Pangunahing Patag na Oryentasyon | <1-100> ± 5° |
| Pangunahing Patag na Haba | 47.5mm ± 1.5mm |
| Resistivity | 0.015–0.0285 Ω·cm |
| Densidad ng Mikropipe | <0.5 |
| Densidad ng Pagbutas ng Boron (BPD) | <2000 |
| Densidad ng Dislokasyon ng Turnilyo sa Pag-thread (TSD) | <500 |
| Mga Lugar na Polytype | Wala |
| Mga Indent sa Gilid | <3, 1mm ang lapad at lalim |
| Mga Bitak sa Gilid | 3, <1mm/bawat isa |
| Pag-iimpake | Kaso ng wafer |
Konklusyon
Ang 6-pulgadang SiC Ingot – N-type Dummy/Prime grade ay isang premium na materyal na nakakatugon sa mahigpit na mga kinakailangan ng industriya ng semiconductor. Ang mataas na thermal conductivity, pambihirang resistivity, at mababang defect density nito ay ginagawa itong isang mahusay na pagpipilian para sa produksyon ng mga advanced na power electronic device, mga bahagi ng sasakyan, mga sistema ng telekomunikasyon, at mga sistema ng renewable energy. Tinitiyak ng napapasadyang kapal at mga detalye ng katumpakan na ang SiC ingot na ito ay maaaring iayon sa malawak na hanay ng mga aplikasyon, na tinitiyak ang mataas na pagganap at pagiging maaasahan sa mga mahihirap na kapaligiran. Para sa karagdagang impormasyon o upang maglagay ng order, mangyaring makipag-ugnayan sa aming sales team.
Detalyadong Dayagram







