Silicon Carbide Ceramic Tray – Matibay, High-Performance Tray para sa Thermal at Chemical Applications

Silicon Carbide Ceramic Tray – Matibay, High-Performance Tray para sa Thermal at Chemical Application Itinatampok na Larawan

Maikling Paglalarawan:

Magpadala ng email sa amin

Mga tampok

Detalyadong Diagram

Panimula ng Produkto

Ang mga silicon carbide (SiC) ceramic tray ay mga bahaging may mataas na pagganap na malawakang ginagamit sa mga kapaligirang pang-industriya na may mataas na temperatura, mataas ang karga, at malupit sa kemikal. Ininhinyero mula sa mga advanced na silicon carbide na ceramic na materyales, ang mga tray na ito ay idinisenyo upang maghatid ng pambihirang lakas ng makina, superyor na thermal conductivity, at mahusay na panlaban sa thermal shock, oxidation, at corrosion. Dahil sa kanilang matatag na kalikasan, ang mga ito ay lubos na angkop para sa iba't ibang mga pang-industriya na aplikasyon kabilang ang paggawa ng semiconductor, pagpoproseso ng photovoltaic, sintering ng mga bahagi ng metalurhiya ng pulbos, at higit pa.

Ang mga silicone carbide tray ay nagsisilbing mahahalagang carrier o suporta sa panahon ng mga proseso ng thermal treatment kung saan kritikal ang dimensional accuracy, structural integrity, at chemical resistance. Kung ikukumpara sa mga tradisyunal na ceramic na materyales gaya ng alumina o mullite, ang mga SiC tray ay nag-aalok ng mas mataas na performance, lalo na sa mga kondisyong kinasasangkutan ng paulit-ulit na thermal cycling at mga agresibong atmosphere.

Proseso ng Paggawa at Komposisyon ng Materyal

Ang paggawa ng mga SiC ceramic tray ay nagsasangkot ng precision engineering at advanced na sintering na teknolohiya upang matiyak ang mataas na density, pare-parehong microstructure, at pare-parehong pagganap. Kasama sa mga pangkalahatang hakbang ang:

Pagpili ng Hilaw na Materyal
Pinili ang high-purity na silicon carbide powder (≥99%), kadalasang may partikular na kontrol sa laki ng particle at kaunting impurities upang magarantiya ang mataas na mekanikal at thermal properties.
Mga Paraan ng Pagbuo
Depende sa mga detalye ng tray, ginagamit ang iba't ibang mga diskarte sa pagbuo:
- Cold Isostatic Pressing (CIP) para sa high-density, unipormeng mga compact
- Extrusion o slip casting para sa mga kumplikadong hugis
- Injection molding para sa tumpak, detalyadong geometries
Mga Teknik sa Sintering
Ang berdeng katawan ay sintered sa napakataas na temperatura, karaniwang nasa hanay na 2000°C, sa ilalim ng inert o vacuum na mga kapaligiran. Ang mga karaniwang pamamaraan ng sintering ay kinabibilangan ng:
- Reaction Bonded SiC (RB-SiC)
- Pressureless Sintered SiC (SSiC)
- Recrystallized SiC (RBSiC)
  Ang bawat pamamaraan ay nagreresulta sa bahagyang magkakaibang mga katangian ng materyal, tulad ng porosity, lakas, at thermal conductivity.
Precision Machining
Pagkatapos ng sintering, ang mga tray ay ginagawang makina upang makamit ang masikip na dimensional tolerance, makinis na ibabaw na finish, at flatness. Maaaring ilapat ang mga surface treatment gaya ng lapping, grinding, at polishing batay sa mga pangangailangan ng customer.

Mga Karaniwang Aplikasyon

Ang Silicon carbide ceramic tray ay ginagamit sa iba't ibang uri ng industriya dahil sa kanilang versatility at resilience. Kasama sa mga karaniwang aplikasyon ang:

Industriya ng Semiconductor
Ang mga SiC tray ay ginagamit bilang mga carrier sa panahon ng wafer annealing, diffusion, oxidation, epitaxy, at mga proseso ng implantation. Tinitiyak ng kanilang katatagan ang pare-parehong pamamahagi ng temperatura at kaunting kontaminasyon.
Industriya ng Photovoltaic (PV).
Sa paggawa ng solar cell, sinusuportahan ng mga SiC tray ang mga silicon ingots o wafer sa panahon ng high-temperature diffusion at sintering na mga hakbang.
Powder Metallurgy at Ceramics
Ginagamit para sa pagsuporta sa mga bahagi sa panahon ng sintering ng mga pulbos na metal, keramika, at mga pinaghalong materyales.
Mga Glass at Display Panel
Inilapat bilang mga kiln tray o platform para sa paggawa ng mga espesyal na baso, LCD substrate, o iba pang optical na bahagi.
Pagproseso ng Kemikal at Thermal Furnace
Nagsisilbing mga carrier na lumalaban sa kaagnasan sa mga chemical reactor o bilang mga thermal support tray sa vacuum at controlled-atmosphere furnace.

Mga Pangunahing Tampok ng Pagganap

✅Pambihirang Thermal Stability
Nakatiis sa tuluy-tuloy na paggamit sa mga temperatura hanggang 1600–2000°C nang walang warping o degradation.
✅Mataas na Lakas ng Mekanikal
Nag-aalok ng mataas na flexural strength (karaniwang >350 MPa), na tinitiyak ang pangmatagalang tibay kahit sa ilalim ng mataas na kondisyon ng pagkarga.
✅Thermal Shock Resistance
Napakahusay na pagganap sa mga kapaligiran na may mabilis na pagbabagu-bago ng temperatura, na pinapaliit ang panganib ng pag-crack.
✅Paglaban sa Kaagnasan at Oksihenasyon
Matatag sa kemikal sa karamihan ng mga acid, alkalis, at oxidizing/reducing gas, na angkop para sa malupit na proseso ng kemikal.
✅Dimensional Accuracy at Flatness
Makina sa mataas na katumpakan, tinitiyak ang pare-parehong pagproseso at pagiging tugma sa mga awtomatikong system.
✅Mahabang Buhay at Kahusayan sa Gastos
Ang mas mababang mga rate ng pagpapalit at pinababang gastos sa pagpapanatili ay ginagawa itong isang cost-effective na solusyon sa paglipas ng panahon.

Teknikal na Pagtutukoy

Parameter	Karaniwang Halaga
materyal	Reaction Bonded SiC / Sintered SiC
Max. Operating Temperatura	1600–2000°C
Flexural na Lakas	≥350 MPa
Densidad	≥3.0 g/cm³
Thermal Conductivity	~120–180 W/m·K
Kapantayan ng Ibabaw	≤ 0.1 mm
kapal	5–20 mm (nako-customize)
Mga sukat	Standard: 200×200 mm, 300×300 mm, atbp.
Ibabaw ng Tapos	Makina, pinakintab (kapag hiniling)

Mga Madalas Itanong (FAQ)

Q1: Maaari bang gamitin ang mga silicon carbide tray sa mga vacuum furnace?
A:Oo, ang mga SiC tray ay perpekto para sa mga vacuum na kapaligiran dahil sa kanilang mababang outgassing, chemical stability, at mataas na temperatura na resistensya.

Q2: Available ba ang mga custom na hugis o slot?
A:Talagang. Nag-aalok kami ng mga serbisyo sa pag-customize kabilang ang laki ng tray, hugis, mga feature sa ibabaw (hal., mga grooves, butas), at surface polishing upang matugunan ang mga natatanging kinakailangan ng customer.

Q3: Paano maihahambing ang SiC sa mga alumina o quartz tray?
A:Ang SiC ay may mas mataas na lakas, mas mahusay na thermal conductivity, at superior resistance sa thermal shock at chemical corrosion. Habang ang alumina ay mas cost-effective, ang SiC ay gumaganap nang mas mahusay sa mga demanding na kapaligiran.

Q4: Mayroon bang karaniwang kapal para sa mga tray na ito?
A:Karaniwang nasa hanay na 5–20 mm ang kapal, ngunit maaari naming ayusin ito batay sa iyong aplikasyon at mga kinakailangan sa pagdadala ng pagkarga.

Q5: Ano ang karaniwang lead time para sa mga customized na SiC tray?
A:Ang mga oras ng lead ay nag-iiba depende sa pagiging kumplikado at dami ngunit sa pangkalahatan ay mula 2 hanggang 4 na linggo para sa mga naka-customize na order.

Tungkol sa Amin

Dalubhasa ang XKH sa high-tech na pagpapaunlad, produksyon, at pagbebenta ng mga espesyal na optical glass at mga bagong kristal na materyales. Nagsisilbi ang aming mga produkto ng optical electronics, consumer electronics, at militar. Nag-aalok kami ng Sapphire optical component, mga cover ng lens ng mobile phone, Ceramics, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, at semiconductor crystal wafers. Gamit ang dalubhasang kadalubhasaan at makabagong kagamitan, mahusay kami sa hindi karaniwang pagproseso ng produkto, na naglalayong maging isang nangungunang optoelectronic na materyales na high-tech na enterprise.