Silicon Carbide Ceramic Tray – Matibay at Mataas na Pagganap na mga Tray para sa mga Aplikasyong Thermal at Kemikal

Maikling Paglalarawan:

Magpadala ng email sa amin

Mga Tampok

Detalyadong Dayagram

Pagpapakilala ng Produkto

Ang mga silicon carbide (SiC) ceramic tray ay mga high-performance na bahagi na malawakang ginagamit sa mga kapaligirang pang-industriya na may mataas na temperatura, mataas na karga, at malupit na kemikal. Ginawa mula sa mga advanced na silicon carbide ceramic material, ang mga tray na ito ay dinisenyo upang maghatid ng pambihirang mekanikal na lakas, superior thermal conductivity, at mahusay na resistensya sa thermal shock, oxidation, at corrosion. Ang kanilang matibay na katangian ay ginagawa silang lubos na angkop para sa iba't ibang aplikasyon sa industriya kabilang ang paggawa ng semiconductor, photovoltaic processing, sintering ng mga bahagi ng powder metallurgy, at marami pang iba.

Ang mga silicon carbide tray ay nagsisilbing mahahalagang tagadala o suporta sa mga proseso ng thermal treatment kung saan kritikal ang katumpakan ng dimensyon, integridad ng istruktura, at resistensya sa kemikal. Kung ikukumpara sa mga tradisyonal na materyales na seramiko tulad ng alumina o mullite, ang mga SiC tray ay nag-aalok ng mas mataas na pagganap, lalo na sa mga kondisyon na kinasasangkutan ng paulit-ulit na thermal cycling at agresibong mga atmospera.

Proseso ng Paggawa at Komposisyon ng Materyales

Ang produksyon ng mga SiC ceramic tray ay kinabibilangan ng precision engineering at mga advanced na teknolohiya ng sintering upang matiyak ang mataas na densidad, pare-parehong microstructure, at pare-parehong performance. Kabilang sa mga pangkalahatang hakbang ang:

Pagpili ng Hilaw na Materyales
Pinipili ang high-purity silicon carbide powder (≥99%), kadalasang may partikular na kontrol sa laki ng particle at kaunting dumi upang magarantiya ang mataas na mekanikal at thermal na katangian.
Mga Paraan ng Pagbuo
Depende sa mga detalye ng tray, iba't ibang pamamaraan ng paghubog ang ginagamit:
- Cold Isostatic Pressing (CIP) para sa mataas na densidad at pare-parehong mga siksik
- Extrusion o slip casting para sa mga kumplikadong hugis
- Paghubog ng iniksyon para sa tumpak at detalyadong mga heometriya
Mga Teknik sa Sintering
Ang green body ay sinisinter sa napakataas na temperatura, karaniwang nasa hanay na 2000°C, sa ilalim ng inert o vacuum na atmospera. Kabilang sa mga karaniwang pamamaraan ng sintering ang:
- Reaction Bonded SiC (RB-SiC)
- Walang Presyon na Sintered SiC (SSiC)
- Muling Nakristal na SiC (RBSiC)
  Ang bawat pamamaraan ay nagreresulta sa bahagyang magkakaibang katangian ng materyal, tulad ng porosity, lakas, at thermal conductivity.
Pagmakina ng Katumpakan
Pagkatapos ng sintering, ang mga tray ay minamakina upang makamit ang masisikip na dimensional tolerances, makinis na ibabaw, at pagiging patag. Ang mga paggamot sa ibabaw tulad ng lapping, grinding, at polishing ay maaaring ilapat batay sa mga pangangailangan ng customer.

Karaniwang mga Aplikasyon

Ang mga silicon carbide ceramic tray ay ginagamit sa iba't ibang industriya dahil sa kanilang kakayahang umangkop at katatagan. Kabilang sa mga karaniwang aplikasyon ang:

Industriya ng Semikonduktor
Ang mga SiC tray ay ginagamit bilang mga carrier sa panahon ng mga proseso ng wafer annealing, diffusion, oxidation, epitaxy, at implantation. Tinitiyak ng kanilang katatagan ang pare-parehong distribusyon ng temperatura at minimal na kontaminasyon.
Industriya ng Photovoltaic (PV)
Sa produksyon ng solar cell, sinusuportahan ng mga SiC tray ang mga silicon ingot o wafer sa mga hakbang ng high-temperature diffusion at sintering.
Metalurhiya ng Pulbos at mga Seramika
Ginagamit para sa mga sumusuportang bahagi habang nagsasagawa ng sintering ng mga metal na pulbos, seramika, at mga composite na materyales.
Mga Panel ng Salamin at Display
Ginagamit bilang mga kiln tray o plataporma para sa paggawa ng mga espesyal na salamin, LCD substrate, o iba pang optical component.
Pagproseso ng Kemikal at mga Thermal Furnace
Nagsisilbing mga tagadala ng kalawang na hindi tinatablan ng kalawang sa mga reaktor ng kemikal o bilang mga tray ng suporta sa init sa mga hurno na may vacuum at kontroladong atmospera.

Mga Pangunahing Tampok ng Pagganap

✅Pambihirang Katatagan ng Thermal
Nakakayanan ang patuloy na paggamit sa mga temperaturang hanggang 1600–2000°C nang hindi bumabaluktot o nasisira.
✅Mataas na Lakas ng Mekanikal
Nag-aalok ng mataas na lakas ng pagbaluktot (karaniwan ay >350 MPa), na tinitiyak ang pangmatagalang tibay kahit sa ilalim ng mga kondisyon ng mataas na karga.
✅Paglaban sa Thermal Shock
Napakahusay na pagganap sa mga kapaligirang may mabilis na pagbabago-bago ng temperatura, na nagpapaliit sa panganib ng pagbitak.
✅Paglaban sa Kaagnasan at Oksidasyon
Kemikal na matatag sa karamihan ng mga asido, alkali, at mga gas na nag-o-oxidize/nagbabawas, na angkop para sa malupit na prosesong kemikal.
✅Katumpakan at Pagkapatas ng Dimensyon
Makinarya nang may mataas na katumpakan, tinitiyak ang pare-parehong pagproseso at pagiging tugma sa mga automated system.
✅Mahabang Buhay at Matipid
Ang mas mababang mga rate ng kapalit at pinababang gastos sa pagpapanatili ay ginagawa itong isang cost-effective na solusyon sa paglipas ng panahon.

Mga Teknikal na Espesipikasyon

Parametro	Karaniwang Halaga
Materyal	Reaksyon na Naka-bond na SiC / Sintered na SiC
Pinakamataas na Temperatura ng Operasyon	1600–2000°C
Lakas ng Pagbaluktot	≥350 MPa
Densidad	≥3.0 g/cm³
Konduktibidad ng Termal	~120–180 W/m·K
Pagkapatas ng Ibabaw	≤ 0.1 mm
Kapal	5–20 mm (napapasadyang)
Mga Dimensyon	Pamantayan: 200×200 mm, 300×300 mm, atbp.
Tapos na Ibabaw	Makina, pinakintab (kapag hiniling)

Mga Madalas Itanong (FAQ)

T1: Maaari bang gamitin ang mga silicon carbide tray sa mga vacuum furnace?
A:Oo, ang mga SiC tray ay mainam para sa mga vacuum na kapaligiran dahil sa kanilang mababang outgassing, chemical stability, at mataas na temperaturang resistensya.

T2: Mayroon bang mga pasadyang hugis o puwang na magagamit?
A:Oo naman. Nag-aalok kami ng mga serbisyo sa pagpapasadya kabilang ang laki ng tray, hugis, mga katangian ng ibabaw (hal., mga uka, butas), at pagpapakintab ng ibabaw upang matugunan ang mga natatanging pangangailangan ng customer.

T3: Paano maihahambing ang SiC sa mga alumina o quartz tray?
A:Ang SiC ay may mas mataas na lakas, mas mahusay na thermal conductivity, at higit na mahusay na resistensya sa thermal shock at chemical corrosion. Bagama't mas matipid ang alumina, mas mahusay ang pagganap ng SiC sa mga mahihirap na kapaligiran.

T4: Mayroon bang karaniwang kapal para sa mga tray na ito?
A:Ang kapal ay karaniwang nasa hanay na 5–20 mm, ngunit maaari namin itong isaayos batay sa iyong aplikasyon at mga kinakailangan sa pagdadala ng karga.

T5: Ano ang karaniwang lead time para sa mga customized na SiC tray?
A:Ang oras ng paggawa ay nag-iiba depende sa kasalimuotan at dami ngunit kadalasan ay mula 2 hanggang 4 na linggo para sa mga customized na order.

Tungkol sa Amin

Ang XKH ay dalubhasa sa high-tech na pagpapaunlad, produksyon, at pagbebenta ng mga espesyal na optical glass at mga bagong crystal materials. Ang aming mga produkto ay nagsisilbi sa optical electronics, consumer electronics, at militar. Nag-aalok kami ng mga Sapphire optical components, mobile phone lens covers, Ceramics, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, at semiconductor crystal wafers. Taglay ang bihasang kadalubhasaan at makabagong kagamitan, mahusay kami sa non-standard na pagproseso ng produkto, na naglalayong maging isang nangungunang high-tech enterprise ng optoelectronic materials.