Sagwan na Silicon Carbide Cantilever (Sagwan na SiC Cantilever)

Itinatampok na Larawan ng Silicon Carbide Cantilever Paddle (SiC Cantilever Paddle)

Maikling Paglalarawan:

Magpadala ng email sa amin

Mga Tampok

Detalyadong Dayagram

Pangkalahatang-ideya ng Produkto

Ang silicon carbide cantilever paddle, na gawa mula sa high-performance reaction-bonded silicon carbide (RBSiC), ay isang kritikal na bahagi na ginagamit sa mga wafer loading at handling system para sa mga semiconductor at photovoltaic na aplikasyon.
Kung ikukumpara sa tradisyonal na quartz o graphite paddles, ang SiC cantilever paddles ay nag-aalok ng superior mechanical strength, mataas na tigas, mababang thermal expansion, at natatanging corrosion resistance. Napapanatili nila ang mahusay na estruktural na katatagan sa ilalim ng mataas na temperatura, na nakakatugon sa mahigpit na mga kinakailangan ng malalaking sukat ng wafer, mas mahabang buhay ng serbisyo, at napakababang kontaminasyon.

Dahil sa patuloy na pag-unlad ng mga proseso ng semiconductor tungo sa mas malalaking diyametro ng wafer, mas mataas na throughput, at mas malinis na kapaligiran sa pagproseso, unti-unting napalitan ng mga SiC cantilever paddle ang mga kumbensyonal na materyales, at naging mas pinipiling pagpipilian para sa mga diffusion furnace, LPCVD, at mga kaugnay na kagamitan na may mataas na temperatura.

Mga Tampok ng Produkto

Napakahusay na Katatagan sa Mataas na Temperatura
- Gumagana nang maaasahan sa 1000–1300℃ nang walang deformasyon.
- Pinakamataas na temperatura ng serbisyo hanggang 1380℃.
Mataas na Kapasidad sa Pagdala ng Karga
- Lakas ng pagbaluktot hanggang 250–280 MPa, mas mataas kaysa sa mga quartz paddle.
- Kayang humawak ng mga wafer na may malalaking diyametro (300 mm pataas).
Pinahabang Buhay ng Serbisyo at Mababang Pagpapanatili
- Mababang thermal expansion coefficient (4.5 × 10⁻⁶ K⁻¹), mahusay na tumutugma sa mga materyales na patong na LPCVD.
- Binabawasan ang mga bitak at pagbabalat na dulot ng stress, na makabuluhang nagpapahaba sa mga siklo ng paglilinis at pagpapanatili.
Paglaban sa Kaagnasan at Kadalisayan
- Napakahusay na resistensya sa mga asido at alkali.
- Siksikan na microstructure na may open porosity na <0.1%, na nagpapaliit sa pagbuo ng particle at paglabas ng dumi.
Disenyo na Tugma sa Awtomasyon
- Matatag na cross-sectional geometry na may mataas na katumpakan sa dimensyon.
- Walang putol na pagsasama sa mga robotic wafer loading at unloading system, na nagbibigay-daan sa ganap na automated na produksyon.

Mga Katangiang Pisikal at Kemikal

Aytem	Yunit	Datos
Pinakamataas na Temperatura ng Serbisyo	℃	1380
Densidad	g/cm³	3.04 – 3.08
Bukas na Porosidad	%	< 0.1
Lakas ng Pagbaluktot	MPa	250 (20℃), 280 (1200℃)
Modulus ng Elastisidad	GPa	330 (20℃), 300 (1200℃)
Konduktibidad ng Termal	W/m·K	45 (1200℃)
Koepisyent ng Pagpapalawak ng Thermal	K⁻¹×10⁻⁶	4.5
Katigasan ng Vickers	HV2	≥ 2100
Paglaban sa Asido/Alkalina	-	Napakahusay

Mga karaniwang haba:2378 mm, 2550 mm, 2660 mm
Magagamit ang mga pasadyang sukat kapag hiniling

Mga Aplikasyon

Industriya ng Semikonduktor
- LPCVD (Mababang Presyon ng Kemikal na Singaw na Deposisyon)
- Mga proseso ng pagsasabog (posporus, boron, atbp.)
- Oksihenasyon sa init
Industriya ng Photovoltaic
- Pagkalat at patong ng polysilicon at monocrystalline wafer
- Pag-init at pagpasa sa mataas na temperatura
Iba pang mga Patlang
- Mga kapaligirang nakakabawas ng kinakaing unti-unti sa mataas na temperatura
- Mga sistema ng paghawak ng wafer na may katumpakan na nangangailangan ng mahabang buhay ng serbisyo at mababang kontaminasyon

Mga Benepisyo ng Kustomer

Nabawasang Gastos sa Operasyon– Mas mahabang buhay kumpara sa mga quartz paddle, na nagpapaliit sa downtime at dalas ng pagpapalit.
Mas Mataas na Ani– Ang napakababang kontaminasyon ay nagsisiguro ng kalinisan sa ibabaw ng wafer at binabawasan ang mga rate ng depekto.
Patunay sa Hinaharap– Tugma sa malalaking sukat ng wafer at mga susunod na henerasyon ng mga prosesong semiconductor.
Pinahusay na Produktibidad– Ganap na tugma sa mga robotic automation system, na sumusuporta sa mataas na volume ng pagmamanupaktura.

Mga Madalas Itanong – Silicon Carbide Cantilever Paddle

T1: Ano ang isang silicon carbide cantilever paddle?
A: Ito ay isang bahaging sumusuporta at humahawak ng wafer na gawa sa reaction-bonded silicon carbide (RBSiC). Malawakang ginagamit ito sa mga diffusion furnace, LPCVD, at iba pang mga prosesong semiconductor at photovoltaic na may mataas na temperatura.

T2: Bakit pipiliin ang SiC kaysa sa mga quartz paddle?
A: Kung ikukumpara sa mga quartz paddle, ang mga SiC paddle ay nag-aalok ng:

Mas mataas na mekanikal na lakas at kapasidad sa pagdadala ng karga
Mas mahusay na thermal stability sa temperaturang hanggang 1380℃
Mas mahabang buhay ng serbisyo at mas kaunting mga siklo ng pagpapanatili
Mas mababang panganib ng pagbuo ng particle at kontaminasyon
Kakayahang umangkop sa mas malalaking sukat ng wafer (300 mm pataas)

T3: Anong mga laki ng wafer ang kayang suportahan ng SiC cantilever paddle?
A: May mga karaniwang paddle na magagamit para sa mga sistema ng pugon na may sukat na 2378 mm, 2550 mm, at 2660 mm. May mga customized na sukat na magagamit upang suportahan ang mga wafer na hanggang 300 mm at pataas.

Tungkol sa Amin

Ang XKH ay dalubhasa sa high-tech na pagpapaunlad, produksyon, at pagbebenta ng mga espesyal na optical glass at mga bagong crystal materials. Ang aming mga produkto ay nagsisilbi sa optical electronics, consumer electronics, at militar. Nag-aalok kami ng mga Sapphire optical components, mobile phone lens covers, Ceramics, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, at semiconductor crystal wafers. Taglay ang bihasang kadalubhasaan at makabagong kagamitan, mahusay kami sa non-standard na pagproseso ng produkto, na naglalayong maging isang nangungunang high-tech enterprise ng optoelectronic materials.