SiC Ceramic Tray para sa Wafer Carrier na may High-Temperature Resistance
Silicon Carbide Ceramic Tray (SiC Tray)
Isang high-performance na ceramic component batay sa silicon carbide (SiC) na materyal, na ininhinyero para sa mga advanced na pang-industriya na aplikasyon tulad ng semiconductor manufacturing at LED production. Kabilang sa mga pangunahing function nito ang pagsisilbi bilang wafer carrier, etching process platform, o high-temperature na suporta sa proseso, paggamit ng pambihirang thermal conductivity, high-temperature resistance, at chemical stability para matiyak ang pagkakapareho ng proseso at ang ani ng produkto.
Mga Pangunahing Tampok
1. Thermal Performance
- Mataas na Thermal Conductivity: 140–300 W/m·K, higit na nahihigitan ang tradisyonal na graphite (85 W/m·K), na nagbibigay-daan sa mabilis na pagkawala ng init at pagbabawas ng thermal stress.
- Mababang Thermal Expansion Coefficient: 4.0×10⁻⁶/℃ (25–1000℃), malapit na tumutugma sa silicon (2.6×10⁻⁶/℃), pinapaliit ang mga panganib sa thermal deformation.
2. Mga Katangiang Mekanikal
- Mataas na Lakas: Flexural strength ≥320 MPa (20℃), lumalaban sa compression at impact.
- Mataas na Katigasan: Mohs hardness 9.5, pangalawa lamang sa brilyante, na nag-aalok ng mahusay na wear resistance.
3. Katatagan ng Kemikal
- Corrosion Resistance: Lumalaban sa malalakas na acids (hal., HF, H₂SO₄), na angkop para sa mga kapaligiran ng proseso ng pag-ukit.
- Non-Magnetic: Intrinsic magnetic susceptibility <1×10⁻⁶ emu/g, pag-iwas sa interference sa mga precision na instrumento.
4. Extreme Environment Tolerance
- Mataas na Temperatura Durability: Pangmatagalang temperatura ng pagpapatakbo hanggang 1600–1900 ℃; panandaliang pagtutol hanggang 2200 ℃ (oxygen-free na kapaligiran).
- Ang Thermal Shock Resistance: Lumalaban sa mga biglaang pagbabago sa temperatura (ΔT >1000 ℃) nang walang pag-crack.
Mga aplikasyon
| Patlang ng Application | Mga Tukoy na Sitwasyon | Teknikal na Halaga |
| Paggawa ng Semiconductor | Wafer etching (ICP), thin-film deposition (MOCVD), CMP polishing | Tinitiyak ng mataas na thermal conductivity ang pare-parehong mga patlang ng temperatura; ang mababang thermal expansion ay nagpapaliit ng wafer warpage. |
| Produksyon ng LED | Epitaxial growth (hal., GaN), wafer dicing, packaging | Pinipigilan ang maraming uri ng mga depekto, pinahuhusay ang kahusayan ng LED na kumikinang at habang-buhay. |
| Industriya ng Photovoltaic | Silicon wafer sintering furnaces, PECVD equipment supports | Ang mataas na temperatura at thermal shock resistance ay nagpapalawak ng buhay ng kagamitan. |
| Laser at Optik | High-power laser cooling substrates, optical system supports | Ang mataas na thermal conductivity ay nagbibigay-daan sa mabilis na pag-alis ng init, na nagpapatatag ng mga optical na bahagi. |
| Mga Instrumentong Analitikal | Mga may hawak ng sample ng TGA/DSC | Ang mababang kapasidad ng init at mabilis na pagtugon sa thermal ay nagpapabuti sa katumpakan ng pagsukat. |
Mga Bentahe ng Produkto
- Comprehensive Performance: Ang thermal conductivity, lakas, at corrosion resistance ay higit na lumalampas sa alumina at silicon nitride ceramics, na nakakatugon sa matinding pangangailangan sa pagpapatakbo.
- Magaang Disenyo: Densidad ng 3.1–3.2 g/cm³ (40% ng bakal), binabawasan ang inertial load at pinahuhusay ang katumpakan ng paggalaw.
- Tagal at Pagkakaaasahan: Ang buhay ng serbisyo ay lumampas sa 5 taon sa 1600 ℃, binabawasan ang downtime at binabawasan ang mga gastos sa pagpapatakbo ng 30%.
- Pag-customize: Sinusuportahan ang mga kumplikadong geometries (hal., mga porous suction cup, multi-layer tray) na may flatness error <15 μm para sa mga precision application.
Mga Teknikal na Pagtutukoy
| Kategorya ng Parameter | Tagapagpahiwatig |
| Mga Katangiang Pisikal | |
| Densidad | ≥3.10 g/cm³ |
| Lakas ng Flexural (20 ℃) | 320–410 MPa |
| Thermal Conductivity (20℃) | 140–300 W/(m·K) |
| Thermal Expansion Coefficient (25–1000 ℃) | 4.0×10⁻⁶/℃ |
| Mga Katangiang kimikal | |
| Paglaban sa Acid (HF/H₂SO₄) | Walang kaagnasan pagkatapos ng 24h na paglulubog |
| Katumpakan ng Machining | |
| pagiging patag | ≤15 μm (300×300 mm) |
| Pagkagaspang sa Ibabaw (Ra) | ≤0.4 μm |
Mga Serbisyo ng XKH
Nagbibigay ang XKH ng mga komprehensibong solusyong pang-industriya na sumasaklaw sa custom na pag-develop, precision machining, at mahigpit na kontrol sa kalidad. Para sa custom development, nag-aalok ito ng high-purity (>99.999%) at porous (30–50% porosity) material solution, na ipinares sa 3D modeling at simulation para i-optimize ang mga kumplikadong geometries para sa mga application tulad ng semiconductors at aerospace. Ang precision machining ay sumusunod sa isang streamline na proseso: powder processing → isostatic/dry pressing → 2200°C sintering → CNC/diamond grinding → inspeksyon, tinitiyak ang nanometer-level polishing at ±0.01 mm dimensional tolerance. Ang kontrol sa kalidad ay kinabibilangan ng buong proseso ng pagsubok (komposisyon ng XRD, SEM microstructure, 3-point bending) at teknikal na suporta (pag-optimize ng proseso, 24/7 na konsultasyon, 48-oras na paghahatid ng sample), na naghahatid ng maaasahan, mataas na pagganap na mga bahagi para sa mga advanced na pangangailangang pang-industriya.
Mga Madalas Itanong (FAQ)
1. T: Anong mga industriya ang gumagamit ng silicon carbide ceramic trays?
A: Malawakang ginagamit sa pagmamanupaktura ng semiconductor (paghawak ng wafer), enerhiya ng solar (mga proseso ng PECVD), kagamitang medikal (mga bahagi ng MRI), at aerospace (mga bahaging may mataas na temperatura) dahil sa kanilang matinding paglaban sa init at katatagan ng kemikal.
2. T: Paano nahihigitan ng silicon carbide ang mga quartz/glass tray?
A: Mas mataas na thermal shock resistance (hanggang 1800°C kumpara sa 1100°C ng quartz), zero magnetic interference, at mas mahabang buhay (5+ taon kumpara sa 6-12 buwan ng quartz).
3. T: Maaari bang pangasiwaan ng mga silicon carbide tray ang mga acidic na kapaligiran?
A: Oo. Lumalaban sa HF, H2SO4, at NaOH na may <0.01mm corrosion/taon, na ginagawa itong perpekto para sa chemical etching at wafer cleaning.
4. T: Ang mga silicon carbide tray ba ay tugma sa automation?
A: Oo. Dinisenyo para sa vacuum pickup at robotic handling, na may surface flatness <0.01mm para maiwasan ang particle contamination sa mga automated na fab.
5. T: Ano ang paghahambing ng gastos kumpara sa mga tradisyonal na materyales?
A: Mas mataas na upfront cost (3-5x quartz) ngunit 30-50% mas mababa ang TCO dahil sa pinahabang buhay, pinababang downtime, at pagtitipid ng enerhiya mula sa superyor na thermal conductivity.
