SiC ceramic plate/tray para sa 4inch 6inch wafer holder para sa ICP

Maikling Paglalarawan:

Ang SiC ceramic plate ay isang high-performance na component na inengineered mula sa high-purity na Silicon Carbide, na idinisenyo para gamitin sa matinding thermal, kemikal, at mekanikal na kapaligiran. Kilala sa pambihirang tigas, thermal conductivity, at corrosion resistance, ang SiC plate ay malawakang ginagamit bilang wafer carrier, susceptor, o structural component sa semiconductor, LED, photovoltaic, at aerospace na mga industriya.

Magpadala ng email sa amin

Mga tampok

SiC ceramic plate Abstract

Sa pambihirang thermal stability hanggang 1600°C at mahusay na resistensya sa mga reaktibong gas at plasma environment, tinitiyak ng SiC plate ang pare-parehong performance sa panahon ng high-temperature etching, deposition, at diffusion na mga proseso. Ang siksik at hindi porous na microstructure nito ay nagpapaliit sa pagbuo ng particle, na ginagawa itong perpekto para sa mga ultra-clean na application sa mga setting ng vacuum o cleanroom.

Application ng SiC ceramic plate

1. Paggawa ng Semiconductor

Ang mga SiC ceramic plate ay karaniwang ginagamit bilang mga wafer carrier, susceptor, at pedestal plate sa mga kagamitan sa paggawa ng semiconductor gaya ng CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition), at mga etching system. Ang kanilang mahusay na thermal conductivity at mababang thermal expansion ay nagbibigay-daan sa kanila na mapanatili ang pare-parehong pamamahagi ng temperatura, na kritikal para sa high-precision na pagproseso ng wafer. Ang paglaban ng SiC sa mga corrosive na gas at plasma ay nagsisiguro ng tibay sa malupit na kapaligiran, na tumutulong na mabawasan ang kontaminasyon ng particle at pagpapanatili ng kagamitan.

2. LED Industry – ICP Etching

Sa sektor ng pagmamanupaktura ng LED, ang mga SiC plate ay pangunahing bahagi sa mga sistema ng pag-ukit ng ICP (Inductively Coupled Plasma). Gumaganap bilang mga wafer holder, nagbibigay sila ng isang matatag at thermally na matatag na platform upang suportahan ang mga sapphire o GaN wafer sa panahon ng pagproseso ng plasma. Ang kanilang mahusay na plasma resistance, surface flatness, at dimensional stability ay nakakatulong na matiyak ang mataas na katumpakan at pagkakapareho ng etching, na humahantong sa pagtaas ng yield at performance ng device sa LED chips.

3. Photovoltaics (PV) at Solar Energy

Ginagamit din ang mga SiC ceramic plate sa paggawa ng solar cell, partikular sa panahon ng high-temperature sintering at annealing steps. Ang kanilang inertness sa mataas na temperatura at kakayahang labanan ang warping ay nagsisiguro ng pare-parehong pagproseso ng mga silicon na wafer. Bilang karagdagan, ang kanilang mababang panganib sa kontaminasyon ay mahalaga para sa pagpapanatili ng kahusayan ng mga photovoltaic cell.

Mga Katangian ng SiC ceramic plate

1. Pambihirang Lakas at Katigasan ng Mekanikal

Ang SiC ceramic plate ay nagpapakita ng napakataas na mekanikal na lakas, na may tipikal na flexural strength na lumalampas sa 400 MPa at Vickers hardness na umaabot sa >2000 HV. Ginagawa nitong lubos na lumalaban sa mekanikal na pagkasuot, abrasion, at deformation, na tinitiyak ang mahabang buhay ng serbisyo kahit na sa ilalim ng mataas na load o paulit-ulit na thermal cycling.

2. Mataas na Thermal Conductivity

Ang SiC ay may mahusay na thermal conductivity (karaniwan ay 120–200 W/m·K), na nagbibigay-daan dito upang pantay na ipamahagi ang init sa ibabaw nito. Ang property na ito ay kritikal sa mga proseso gaya ng wafer etching, deposition, o sintering, kung saan direktang nakakaapekto ang pagkakapareho ng temperatura sa ani at kalidad ng produkto.

3. Superior Thermal Stability

Sa mataas na melting point (2700°C) at mababang koepisyent ng thermal expansion (4.0 × 10⁻⁶/K), ang mga SiC ceramic plate ay nagpapanatili ng dimensional na katumpakan at integridad ng istruktura sa ilalim ng mabilis na pag-init at paglamig. Ginagawa nitong mainam ang mga ito para sa mga aplikasyon sa mga high-temperature furnace, vacuum chamber, at plasma environment.

Mga Teknikal na Katangian
Index	Yunit	Halaga
Pangalan ng Materyal		Reaksyon na Sintered Silicon Carbide	Walang Pressure na Sintered Silicon Carbide	Recrystallized Silicon Carbide
Komposisyon		RBSiC	SSiC	R-SiC
Bulk Densidad	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Flexural na Lakas	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Lakas ng Compressive	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Katigasan	Knoop	2700	2800	/
Pagsira ng Tenacity	MPa m1/2	4.5	4	/
Thermal Conductivity	W/mk	95	120	23
Coefficient ng Thermal Expansion	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Tukoy na init	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Pinakamataas na temperatura sa hangin	℃	1200	1500	1600
Elastic Modulus	Gpa	360	410	240

SiC ceramic plate Q&A

Q：Ano ang mga katangian ng silicon carbide plate?

A： Ang mga plate na Silicon carbide (SiC) ay kilala sa kanilang mataas na lakas, tigas, at thermal stability. Nag-aalok sila ng mahusay na thermal conductivity at mababang thermal expansion, na tinitiyak ang maaasahang pagganap sa ilalim ng matinding temperatura. Ang SiC ay chemically inert din, lumalaban sa mga acid, alkalis, at plasma environment, na ginagawa itong perpekto para sa semiconductor at LED processing. Ang siksik at makinis na ibabaw nito ay nagpapaliit sa pagbuo ng butil, na pinapanatili ang pagiging tugma sa malinis na silid. Ang mga SiC plate ay malawakang ginagamit bilang mga wafer carrier, susceptor, at mga bahagi ng suporta sa mataas na temperatura at corrosive na kapaligiran sa buong industriya ng semiconductor, photovoltaic, at aerospace.