SiC ceramic end effector handing arm para sa wafer carring

Maikling Paglalarawan:

Ang LiNbO₃ Wafers ay kumakatawan sa gold standard sa pinagsamang photonics at precision acoustics, na naghahatid ng walang kapantay na performance sa mga modernong optoelectronic system. Bilang isang nangungunang tagagawa, ginawa namin ang sining ng paggawa ng mga engineered na substrate na ito sa pamamagitan ng mga advanced na vapor transport equilibration techniques, na nakakamit ng crystalline perfection na nangunguna sa industriya na may mga depektong densidad na mas mababa sa 50/cm².

Ang mga kakayahan sa produksyon ng XKH ay sumasaklaw sa mga diameter mula 75mm hanggang 150mm, na may tumpak na kontrol sa oryentasyon (X/Y/Z-cut ±0.3°) at mga espesyal na opsyon sa doping kabilang ang mga rare-earth na elemento. Ang kakaibang kumbinasyon ng mga katangian sa LiNbO₃ Wafers – kasama ang kanilang kahanga-hangang r₃₃ coefficient (32±2 pm/V) at malawak na transparency mula sa near-UV hanggang mid-IR – ginagawa itong kailangang-kailangan para sa mga susunod na henerasyong photonic circuit at high-frequency acoustic device.

Magpadala ng email sa amin

Mga tampok

SiC ceramic end effector Abstract

Ang SiC (Silicon Carbide) ceramic end-effector ay isang kritikal na bahagi sa high-precision na wafer handling system na ginagamit sa paggawa ng semiconductor at mga advanced na microfabrication na kapaligiran. Ininhinyero upang matugunan ang mga hinihinging kinakailangan ng napakalinis, mataas na temperatura, at lubos na matatag na kapaligiran, tinitiyak ng dalubhasang end-effector na ito ang maaasahan at walang kontaminasyon na transportasyon ng mga wafer sa panahon ng mga pangunahing hakbang sa produksyon gaya ng lithography, etching, at deposition.

Ang paggamit ng mga superyor na katangian ng materyal ng silicon carbide—tulad ng mataas na thermal conductivity, matinding tigas, mahusay na chemical inertness, at minimal na thermal expansion—ang SiC ceramic end-effector ay nag-aalok ng walang kaparis na mechanical stiffness at dimensional na katatagan kahit na sa ilalim ng mabilis na thermal cycling o sa mga corrosive process chamber. Ang mababang pagbuo ng butil nito at mga katangian ng paglaban sa plasma ay ginagawa itong partikular na angkop para sa mga aplikasyon sa pagpoproseso ng malinis na silid at vacuum, kung saan ang pagpapanatili ng integridad ng ibabaw ng wafer at pagbabawas ng kontaminasyon ng particle ay pinakamahalaga.

SiC ceramic end effector Application

1. Semiconductor Wafer Handling

Ang SiC ceramic end effectors ay malawakang ginagamit sa industriya ng semiconductor para sa paghawak ng mga silicon na wafer sa panahon ng automated na produksyon. Ang mga end effector na ito ay karaniwang naka-mount sa mga robotic arm o vacuum transfer system at idinisenyo upang tumanggap ng mga wafer na may iba't ibang laki gaya ng 200mm at 300mm. Mahalaga ang mga ito sa mga proseso kabilang ang Chemical Vapor Deposition (CVD), Physical Vapor Deposition (PVD), etching, at diffusion—kung saan karaniwan ang mataas na temperatura, kundisyon ng vacuum, at mga corrosive na gas. Ang pambihirang thermal resistance at chemical stability ng SiC ay ginagawa itong perpektong materyal upang makayanan ang mga ganitong malupit na kapaligiran nang walang pagkasira.

2. Cleanroom at Vacuum Compatibility

Sa mga setting ng cleanroom at vacuum, kung saan dapat mabawasan ang kontaminasyon ng particle, ang SiC ceramics ay nag-aalok ng mga makabuluhang pakinabang. Ang siksik at makinis na ibabaw ng materyal ay lumalaban sa pagbuo ng butil, na tumutulong na mapanatili ang integridad ng wafer sa panahon ng transportasyon. Ginagawa nitong partikular na angkop ang mga end effector ng SiC para sa mga kritikal na proseso gaya ng Extreme Ultraviolet Lithography (EUV) at Atomic Layer Deposition (ALD), kung saan mahalaga ang kalinisan. Higit pa rito, ang mababang outgassing at mataas na resistensya ng plasma ng SiC ay nagsisiguro ng maaasahang pagganap sa mga vacuum chamber, nagpapahaba ng habang-buhay ng mga tool at nagpapababa ng dalas ng pagpapanatili.

3. High-Precision Positioning System

Ang katumpakan at katatagan ay mahalaga sa mga advanced na wafer handling system, lalo na sa metrology, inspection, at alignment equipment. Ang SiC ceramics ay may napakababang coefficient ng thermal expansion at mataas na stiffness, na nagpapahintulot sa end effector na mapanatili ang katumpakan ng istruktura nito kahit na sa ilalim ng thermal cycling o mechanical load. Tinitiyak nito na ang mga wafer ay mananatiling tumpak na nakahanay sa panahon ng transportasyon, na pinapaliit ang panganib ng mga micro-scratch, misalignment, o mga error sa pagsukat—mga salik na lalong kritikal sa mga sub-5nm na process node.

SiC ceramic end effector Properties

1. Mataas na Lakas at Katigasan ng Mekanikal

Ang SiC ceramics ay nagtataglay ng pambihirang lakas ng makina, na may flexural strength na kadalasang lumalampas sa 400 MPa at Vickers hardness values na higit sa 2000 HV. Ginagawa nitong lubos na lumalaban sa mekanikal na stress, epekto, at pagkasira, kahit na pagkatapos ng matagal na paggamit. Ang mataas na tigas ng SiC ay nagpapaliit din sa pagpapalihis sa panahon ng mataas na bilis ng paglipat ng wafer, na tinitiyak ang tumpak at paulit-ulit na pagpoposisyon.

2. Napakahusay na Thermal Stability

Ang isa sa mga pinakamahalagang katangian ng SiC ceramics ay ang kanilang kakayahang makatiis ng napakataas na temperatura—kadalasan hanggang 1600°C sa mga inert atmosphere—nang hindi nawawala ang mekanikal na integridad. Ang kanilang mababang coefficient ng thermal expansion (~4.0 x 10⁻⁶ /K) ay nagsisiguro ng dimensional na katatagan sa ilalim ng thermal cycling, na ginagawang perpekto ang mga ito para sa mga application tulad ng CVD, PVD, at high-temperature annealing.

SiC ceramic end effector Q&A

Q：Anong materyal ang ginagamit sa wafer end effector?

A：Ang mga wafer end effector ay karaniwang ginawa mula sa mga materyales na nag-aalok ng mataas na lakas, thermal stability, at mababang pagbuo ng particle. Kabilang sa mga ito, ang Silicon Carbide (SiC) ceramic ay isa sa mga pinaka-advanced at ginustong mga materyales. Ang SiC ceramics ay napakatigas, thermally stable, chemically inert, at lumalaban sa pagsusuot, na ginagawang perpekto ang mga ito para sa paghawak ng mga pinong silicon na wafer sa mga cleanroom at vacuum na kapaligiran. Kung ikukumpara sa quartz o coated metals, ang SiC ay nag-aalok ng superior dimensional stability sa ilalim ng mataas na temperatura at hindi naglalabas ng mga particle, na nakakatulong na maiwasan ang kontaminasyon.