Mga produkto
-
SiC crystal growth furnace SiC Ingot growing 4inch 6inch 8inch PTV Lely TSSG LPE growth method
-
Silicon carbide ceramic tray sucker Silicon carbide ceramic tube supply ng mataas na temperatura sintering custom processing
-
Mataas na lakas silicon carbide ceramic tube SIC iba't ibang uri ng customized na paglaban sa sunog
-
SiC ceramic chuck tray Ceramic suction cups precision machining customized
-
Sapphire fiber diameter 75-500μm LHPG method ay maaaring gamitin para sa sapphire fiber high temperature sensor
-
Sapphire fiber single crystal Al₂O₃ mataas na optical transmittance melting point 2072℃ ay maaaring gamitin para sa mga materyales sa laser window
-
Ang patterned Sapphire Substrate PSS 2inch 4inch 6inch ICP dry etching ay maaaring gamitin para sa LED chips
-
Maliit na table laser punching machine 1000W-6000W minimum na siwang 0.1MM ay maaaring gamitin para sa metal glass ceramic na materyales
-
Sapphire thermocouple proteksyon tube mga produkto pang-industriya na paggamit Single kristal Al2O3
-
High precision laser drilling machine para sa sapphire ceramic material gem bearing nozzle drilling
-
Sapphire single crystal Al2O3 growth furnace KY method Kyropoulos produksyon ng mataas na kalidad na sapphire crystal
-
2 inch 4 inch 6 inch Patterned Sapphire Substrate (PSS) kung saan lumaki ang GaN material ay maaaring gamitin para sa LED lighting