Balita sa Industriya
-
Ang laser slicing ay magiging pangunahing teknolohiya para sa pagputol ng 8-pulgadang silicon carbide sa hinaharap. Q&A Collection
T: Ano ang mga pangunahing teknolohiyang ginagamit sa paghiwa at pagproseso ng SiC wafer? A: Ang Silicon carbide (SiC) ay may katigasan na pangalawa lamang sa brilyante at itinuturing na isang napakatigas at malutong na materyal. Ang proseso ng paghiwa, na kinabibilangan ng pagputol ng mga lumaki na kristal sa manipis na mga manipis, ay nakakaubos ng oras at madaling ...Magbasa pa -
Ang Kasalukuyang Katayuan at Trend ng SiC Wafer Processing Technology
Bilang isang third-generation semiconductor substrate material, ang silicon carbide (SiC) single crystal ay may malawak na prospect ng aplikasyon sa paggawa ng high-frequency at high-power na electronic device. Ang teknolohiya ng pagpoproseso ng SiC ay gumaganap ng isang mapagpasyang papel sa paggawa ng mataas na kalidad na substrate...Magbasa pa -
Ang sumisikat na bituin ng ikatlong henerasyong semiconductor: Gallium nitride ilang bagong growth point sa hinaharap
Kung ikukumpara sa mga silicon carbide device, ang mga gallium nitride power device ay magkakaroon ng higit na mga pakinabang sa mga sitwasyon kung saan ang kahusayan, dalas, dami at iba pang komprehensibong aspeto ay kinakailangan nang sabay-sabay, gaya ng mga gallium nitride based na device ay matagumpay na na-app...Magbasa pa -
Ang pag-unlad ng domestic GaN industriya ay pinabilis
Ang pag-aampon ng gallium nitride (GaN) power device ay kapansin-pansing lumalaki, na pinangungunahan ng mga Chinese consumer electronics vendor, at ang market para sa power GaN device ay inaasahang aabot sa $2 bilyon sa 2027, mula sa $126 milyon noong 2021. Sa kasalukuyan, ang consumer electronics sector ang pangunahing driver ng gallium ni...Magbasa pa