Balita
-
Silicon Carbide Ceramics vs. Semiconductor Silicon Carbide: Ang Iisang Materyal na may Dalawang Magkaibang Kapalaran
Ang Silicon carbide (SiC) ay isang kahanga-hangang compound na matatagpuan sa industriya ng semiconductor at mga advanced na produktong seramik. Madalas itong humahantong sa kalituhan sa mga ordinaryong tao na maaaring mapagkamalang iisa ang uri ng produkto. Sa katotohanan, habang nagbabahagi ng magkaparehong kemikal na komposisyon, ang SiC ay nagpapakita...Magbasa pa -
Mga Pagsulong sa mga Teknolohiya sa Paghahanda ng Ceramic na may Mataas na Kadalisayan na Silicon Carbide
Ang mga high-purity silicon carbide (SiC) ceramics ay umusbong bilang mga mainam na materyales para sa mga kritikal na bahagi sa mga industriya ng semiconductor, aerospace, at kemikal dahil sa kanilang pambihirang thermal conductivity, chemical stability, at mekanikal na lakas. Dahil sa pagtaas ng pangangailangan para sa high-performance, low-pol...Magbasa pa -
Mga Teknikal na Prinsipyo at Proseso ng mga LED Epitaxial Wafer
Mula sa prinsipyo ng paggana ng mga LED, maliwanag na ang materyal na epitaxial wafer ang pangunahing bahagi ng isang LED. Sa katunayan, ang mga pangunahing optoelectronic parameter tulad ng wavelength, brightness, at forward voltage ay higit na natutukoy ng materyal na epitaxial. Teknolohiya at kagamitan ng epitaxial wafer...Magbasa pa -
Mga Pangunahing Pagsasaalang-alang para sa Mataas na Kalidad na Paghahanda ng Single Crystal na Silicon Carbide
Ang mga pangunahing pamamaraan para sa paghahanda ng silicon single crystal ay kinabibilangan ng: Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG), at High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HT-CVD). Kabilang sa mga ito, ang pamamaraan ng PVT ay malawakang ginagamit sa industriyal na produksyon dahil sa simpleng kagamitan at kadalian ng...Magbasa pa -
Lithium Niobate on Insulator (LNOI): Nagtutulak sa Pagsulong ng Photonic Integrated Circuits
Panimula Dahil sa tagumpay ng mga electronic integrated circuit (EIC), ang larangan ng photonic integrated circuits (PIC) ay umuunlad simula nang itatag ito noong 1969. Gayunpaman, hindi tulad ng mga EIC, ang pagbuo ng isang unibersal na plataporma na may kakayahang sumuporta sa magkakaibang aplikasyon ng photonic ay nananatiling...Magbasa pa -
Mga Pangunahing Pagsasaalang-alang para sa Paggawa ng Mataas na Kalidad na Silicon Carbide (SiC) Single Crystals
Mga Pangunahing Pagsasaalang-alang para sa Paggawa ng Mataas na Kalidad na Silicon Carbide (SiC) Single Crystals Ang mga pangunahing pamamaraan para sa pagpapalago ng silicon carbide single crystals ay kinabibilangan ng Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG), at High-Temperature Chemic...Magbasa pa -
Teknolohiya ng Next-Generation LED Epitaxial Wafer: Pinapagana ang Kinabukasan ng Pag-iilaw
Ang mga LED ay nagbibigay-liwanag sa ating mundo, at sa puso ng bawat high-performance LED ay matatagpuan ang epitaxial wafer—isang kritikal na bahagi na tumutukoy sa liwanag, kulay, at kahusayan nito. Sa pamamagitan ng pag-master sa agham ng epitaxial growth, ...Magbasa pa -
Ang Katapusan ng Isang Panahon? Binago ng Pagkabangkarote ng Wolfspeed ang Tanawin ng SiC
Ang Pagkabangkarote ng Wolfspeed ay Nagsilbing Isang Pangunahing Pagbabago para sa Industriya ng SiC Semiconductor. Ang Wolfspeed, isang matagal nang nangunguna sa teknolohiya ng silicon carbide (SiC), ay naghain ng pagkabangkarote ngayong linggo, na nagmamarka ng isang makabuluhang pagbabago sa pandaigdigang tanawin ng SiC semiconductor. Ang kumpanya...Magbasa pa -
Komprehensibong Pagsusuri ng Pagbuo ng Stress sa Fused Quartz: Mga Sanhi, Mekanismo, at Epekto
1. Thermal Stress Habang Nagpapalamig (Pangunahing Sanhi) Ang fused quartz ay bumubuo ng stress sa ilalim ng hindi pare-parehong mga kondisyon ng temperatura. Sa anumang temperatura, ang atomic structure ng fused quartz ay umaabot sa isang medyo "optimal" na spatial configuration. Habang nagbabago ang temperatura, ang atomic sp...Magbasa pa -
Isang Komprehensibong Gabay sa mga Silicon Carbide Wafer/SiC wafer
Ang mga abstract Silicon carbide (SiC) wafer ng SiC wafer ay naging substrate ng pagpili para sa mga high-power, high-frequency, at high-temperature electronics sa mga sektor ng automotive, renewable energy, at aerospace. Sakop ng aming portfolio ang mga pangunahing polytype...Magbasa pa -
Isang Komprehensibong Pangkalahatang-ideya ng mga Teknik sa Pagdeposito ng Manipis na Pelikula: MOCVD, Magnetron Sputtering, at PECVD
Sa paggawa ng semiconductor, habang ang photolithography at etching ang pinakamadalas na binabanggit na proseso, ang mga pamamaraan ng epitaxial o thin film deposition ay pantay na kritikal. Ipinakikilala ng artikulong ito ang ilang karaniwang pamamaraan ng thin film deposition na ginagamit sa paggawa ng chip, kabilang ang MOCVD, magnetr...Magbasa pa -
Mga Tubong Proteksyon ng Sapphire Thermocouple: Pagpapaunlad ng Precision Temperature Sensing sa Malupit na Industriyal na Kapaligiran
1. Pagsukat ng Temperatura – Ang Gulugod ng Kontrol sa Industriya Dahil sa mga modernong industriya na tumatakbo sa ilalim ng lalong masalimuot at matinding mga kondisyon, naging mahalaga ang tumpak at maaasahang pagsubaybay sa temperatura. Sa iba't ibang teknolohiya ng sensing, ang mga thermocouple ay malawakang ginagamit salamat sa...Magbasa pa