Multi-Wire Diamond Sawing Machine para sa SiC Sapphire Ultra-Hard Brittle Materials

Maikling Paglalarawan:

Ang multi-wire diamond sawing machine ay isang makabagong sistema ng paghiwa na idinisenyo para sa pagproseso ng napakatigas at malutong na materyales. Sa pamamagitan ng pag-deploy ng maraming parallel na wire na pinahiran ng brilyante, ang makina ay maaaring sabay-sabay na mag-cut ng maramihang mga wafer sa isang solong cycle, na nakakamit ang parehong mataas na throughput at precision.


Mga tampok

Panimula sa Multi-Wire Diamond Sawing Machine

Ang multi-wire diamond sawing machine ay isang makabagong sistema ng paghiwa na idinisenyo para sa pagproseso ng napakatigas at malutong na materyales. Sa pamamagitan ng pag-deploy ng maraming parallel na wire na pinahiran ng brilyante, ang makina ay maaaring sabay-sabay na mag-cut ng maramihang mga wafer sa isang solong cycle, na nakakamit ang parehong mataas na throughput at precision. Ang teknolohiyang ito ay naging isang mahalagang tool sa mga industriya tulad ng semiconductors, solar photovoltaics, LEDs, at advanced ceramics, lalo na para sa mga materyales tulad ng SiC, sapphire, GaN, quartz, at alumina.

Kung ikukumpara sa conventional single-wire cutting, ang multi-wire configuration ay naghahatid ng dose-dosenang hanggang daan-daang hiwa bawat batch, na lubos na nakakabawas ng cycle time habang pinapanatili ang mahusay na flatness (Ra < 0.5 μm) at dimensional precision (±0.02 mm). Ang modular na disenyo nito ay nagsasama ng automated wire tensioning, workpiece handling system, at online monitoring, na tinitiyak ang pangmatagalan, stable, at ganap na automated na produksyon.

Mga Teknikal na Parameter ng Multi-Wire Diamond Sawing Machine

item Pagtutukoy item Pagtutukoy
Pinakamataas na laki ng trabaho (Kuwadrado) 220 × 200 × 350 mm Magmaneho ng motor 17.8 kW × 2
Pinakamataas na laki ng trabaho (Bilog) Φ205 × 350 mm Wire drive motor 11.86 kW × 2
Spindle spacing Φ250 ±10 × 370 × 2 axis (mm) Worktable lift motor 2.42 kW × 1
Pangunahing aksis 650 mm Swing motor 0.8 kW × 1
Bilis ng pagpapatakbo ng wire 1500 m/min Arrangement motor 0.45 kW × 2
Wire diameter Φ0.12–0.25 mm Tensiyon na motor 4.15 kW × 2
Ang bilis ng pag-angat 225 mm/min Slurry na motor 7.5 kW × 1
Max. pag-ikot ng mesa ±12° Kapasidad ng slurry tank 300 L
Swing angle ±3° Daloy ng coolant 200 L/min
Dalas ng ugoy ~30 beses/min Temp. katumpakan ±2 °C
Rate ng feed 0.01–9.99 mm/min Power supply 335+210 (mm²)
Rate ng feed ng kawad 0.01–300 mm/min Naka-compress na hangin 0.4–0.6 MPa
Laki ng makina 3550 × 2200 × 3000 mm Timbang 13,500 kg

Working Mechanism ng Multi-Wire Diamond Sawing Machine

  1. Multi-Wire Cutting Motion
    Gumagalaw ang maraming diamante na wire sa naka-synchronize na bilis hanggang 1500 m/min. Pinapanatili ng precision-guided pulley at closed-loop tension control (15–130 N) ang mga wire, na binabawasan ang pagkakataon ng paglihis o pagkabasag.

  2. Tumpak na Pagpapakain at Pagpoposisyon
    Nakamit ng servo-driven na pagpoposisyon ang ±0.005 mm na katumpakan. Ang opsyonal na laser o vision-assisted alignment ay nagpapaganda ng mga resulta para sa mga kumplikadong hugis.

  3. Pagpapalamig at Pag-alis ng Debris
    Ang high-pressure coolant ay patuloy na nag-aalis ng mga chips at pinapalamig ang lugar ng trabaho, na pinipigilan ang thermal damage. Ang multi-stage na pagsasala ay nagpapahaba ng buhay ng coolant at binabawasan ang downtime.

  4. Smart Control Platform
    Ang mga driver ng high-response na servo (<1 ms) ay dynamic na nag-aayos ng feed, tensyon, at bilis ng wire. Pinagsamang pamamahala ng recipe at isang-click na parameter switching streamline mass production.

Mga Pangunahing Benepisyo ng Multi-Wire Diamond Sawing Machine

  • Mataas na Produktibo
    May kakayahang mag-cut ng 50–200 na mga wafer bawat run, na may pagkawala ng kerf <100 μm, pagpapabuti ng paggamit ng materyal hanggang sa 40%. Ang throughput ay 5–10x ng tradisyonal na single-wire system.

  • Precision Control
    Tinitiyak ng katatagan ng tension ng wire sa loob ng ±0.5 N ang mga pare-parehong resulta sa iba't ibang malutong na materyales. Ang real-time na pagsubaybay sa isang 10" HMI interface ay sumusuporta sa pag-imbak ng recipe at remote na operasyon.

  • Flexible, Modular Build
    Tugma sa mga diameter ng wire mula 0.12–0.45 mm para sa iba't ibang proseso ng pagputol. Ang opsyonal na robotic handling ay nagbibigay-daan sa ganap na awtomatikong mga linya ng produksyon.

  • Pagiging Maaasahan sa Industrial-Grade
    Ang mga heavy-duty na cast/forged na frame ay nagpapaliit ng deformation (<0.01 mm). Ang mga guide pulley na may ceramic o carbide coatings ay nagbibigay ng higit sa 8000 oras ng buhay ng serbisyo.

Multi-Wire Diamond Sawing System para sa SiC Sapphire Ultra-Hard Brittle Materials 2

Mga Larangan ng Application ng Multi-Wire Diamond Sawing Machine

  • Semiconductor: Pagputol ng SiC para sa EV power modules, GaN substrates para sa 5G device.

  • Photovoltaics: High-speed silicon wafer slicing na may ±10 μm na pagkakapareho.

  • LED at Optik: Sapphire substrates para sa epitaxy at precision optical elements na may <20 μm edge chipping.

  • Mga Advanced na Keramik: Pagproseso ng alumina, AlN, at mga katulad na materyales para sa mga bahagi ng aerospace at thermal management.

Multi-Wire Diamond Sawing System para sa SiC Sapphire Ultra-Hard Brittle Materials 3

 

Multi-Wire Diamond Sawing System para sa SiC Sapphire Ultra-Hard Brittle Materials 5

Multi-Wire Diamond Sawing System para sa SiC Sapphire Ultra-Hard Brittle Materials 6

FAQ – Multi-Wire Diamond Sawing Machine

Q1: Ano ang mga pakinabang ng multi-wire sawing kumpara sa mga single-wire machine?
A: Ang mga multi-wire system ay maaaring maghiwa ng dose-dosenang hanggang daan-daang mga wafer nang sabay-sabay, na nagpapalakas ng kahusayan ng 5–10×. Mas mataas din ang paggamit ng materyal na may pagkawala ng kerf sa ibaba 100 μm, na ginagawa itong perpekto para sa mass production.

Q2: Anong mga uri ng materyales ang maaaring iproseso?
A: Ang makina ay idinisenyo para sa matitigas at malutong na materyales, kabilang ang silicon carbide (SiC), sapphire, gallium nitride (GaN), quartz, alumina (Al₂O₃), at aluminum nitride (AlN).

Q3: Ano ang matamo na katumpakan at kalidad ng ibabaw?
A: Ang pagkamagaspang sa ibabaw ay maaaring umabot sa Ra <0.5 μm, na may dimensional na katumpakan na ±0.02 mm. Maaaring kontrolin ang Edge chipping sa <20 μm, na nakakatugon sa mga pamantayan ng industriya ng semiconductor at optoelectronic.

Q4: Ang proseso ba ng pagputol ay nagdudulot ng mga bitak o pinsala?
A: Sa pamamagitan ng high-pressure coolant at closed-loop tension control, ang panganib ng micro-cracks at pagkasira ng stress ay mababawasan, na tinitiyak ang mahusay na integridad ng wafer.


  • Nakaraan:
  • Susunod:

  • Isulat ang iyong mensahe dito at ipadala ito sa amin