AlN-on-NPSS Wafer: Mataas na Pagganap na Aluminum Nitride Layer sa Non-Plinished Sapphire Substrate para sa Mataas na Temperatura, Mataas na Lakas, at RF na Aplikasyon

Maikling Paglalarawan:

Pinagsasama ng AlN-on-NPSS wafer ang isang high-performance aluminum nitride (AlN) layer na may non-polish sapphire substrate (NPSS) upang mag-alok ng isang mainam na solusyon para sa mga aplikasyon na may mataas na temperatura, mataas na lakas, at radio-frequency (RF). Ang natatanging kombinasyon ng pambihirang thermal conductivity at electrical properties ng AlN, kasama ang mahusay na mekanikal na lakas ng substrate, ay ginagawang mas mainam na pagpipilian ang wafer na ito para sa mga mahihirap na aplikasyon tulad ng power electronics, high-frequency device, at optical components. Dahil sa mahusay na heat dissipation, mababang loss, at pagiging tugma sa mga kapaligirang may mataas na temperatura, ang wafer na ito ay nagbibigay-daan sa pagbuo ng mga susunod na henerasyong device na may superior na performance.

Magpadala ng email sa amin

Mga Tampok

Mataas na Pagganap na AlN LayerAng Aluminum Nitride (AlN) ay kilala samataas na kondaktibiti ng init(~200 W/m·K),malawak na bandgap, atmataas na boltahe ng pagkasira, ginagawa itong isang mainam na materyal para samataas na kapangyarihan, mataas na dalas, atmataas na temperaturamga aplikasyon.

Hindi Pinakintab na Sapphire Substrate (NPSS)Ang hindi pinakintab na sapiro ay nagbibigay ngmatipid, matibay sa mekanikal na aspetobase, na tinitiyak ang isang matatag na pundasyon para sa epitaxial na paglaki nang walang pagiging kumplikado ng pagpapakintab sa ibabaw. Ang mahusay na mekanikal na katangian ng NPSS ay ginagawa itong matibay para sa mga mapaghamong kapaligiran.

Mataas na Katatagan ng Thermal: Ang AlN-on-NPSS wafer ay kayang tiisin ang matinding pagbabago-bago ng temperatura, kaya angkop itong gamitin saelektronika ng kuryente, mga sistema ng sasakyan, Mga LED, atmga aplikasyong optikalna nangangailangan ng matatag na pagganap sa mga kondisyon ng mataas na temperatura.

Insulasyong ElektrisidadAng AlN ay may mahusay na mga katangian ng pagkakabukod ng kuryente, kaya perpekto ito para sa mga aplikasyon kung saanpaghihiwalay ng kuryenteay kritikal, kabilang angMga aparatong RFatmga elektronikong kagamitan sa microwave.

Superior na Pagwawaldas ng InitDahil sa mataas na thermal conductivity, tinitiyak ng AlN layer ang epektibong heat dissipation, na mahalaga para mapanatili ang performance at tibay ng mga device na gumagana sa ilalim ng mataas na power at frequency.

Mga Teknikal na Parameter

Parametro	Espesipikasyon
Diametro ng Wafer	2-pulgada, 4-pulgada (maaaring mag-customize ng laki)
Uri ng Substrate	Hindi Pinakintab na Sapphire Substrate (NPSS)
Kapal ng Patong na AlN	2µm hanggang 10µm (napapasadyang)
Kapal ng Substrate	430µm ± 25µm (para sa 2-pulgada), 500µm ± 25µm (para sa 4-pulgada)
Konduktibidad ng Termal	200 W/m·K
Resistivity ng Elektrisidad	Mataas na insulasyon, angkop para sa mga aplikasyon ng RF
Kagaspangan ng Ibabaw	Ra ≤ 0.5µm (para sa patong ng AlN)
Kadalisayan ng Materyal	Mataas na kadalisayan na AlN (99.9%)
Kulay	Puti/Maputing Puti (AlN layer na may mapusyaw na kulay na NPSS substrate)
Wafer Warp	< 30µm (karaniwan)
Uri ng Pagdodope	Hindi na-doped (maaaring ipasadya)

Mga Aplikasyon

AngAlN-on-NPSS waferay dinisenyo para sa iba't ibang uri ng mga aplikasyon na may mataas na pagganap sa iba't ibang industriya:

Mga Elektronikong Mataas ang LakasAng mataas na thermal conductivity at insulating properties ng AlN layer ay ginagawa itong isang mainam na materyal para samga transistor ng kuryente, mga rectifier, atmga power ICginagamit sasasakyan, industriyal, atnababagong enerhiyamga sistema.

Mga Bahagi ng Radio-Frequency (RF)Ang mahusay na mga katangian ng AlN sa pagkakabukod ng kuryente, kasama ang mababang pagkawala nito, ay nagbibigay-daan sa produksyon ngMga RF transistor, Mga HEMT (Mga High-Electron-Mobility Transistor), at iba pamga bahagi ng microwavena mahusay na gumagana sa matataas na frequency at antas ng kuryente.

Mga Kagamitang OptikalAng mga wafer na AlN-on-NPSS ay ginagamit samga laser diode, Mga LED, atmga photodetector, kung saan angmataas na kondaktibiti ng initatmekanikal na katataganay mahalaga para sa pagpapanatili ng pagganap sa mas mahabang buhay.

Mga Sensor na Mataas ang TemperaturaAng kakayahan ng wafer na makatiis ng matinding init ay ginagawa itong angkop para samga sensor ng temperaturaatpagsubaybay sa kapaligiransa mga industriya tulad ngaerospace, sasakyan, atlangis at gas.

Pagbabalot ng Semikonduktor: Ginamit sa mga heat spreaderatmga layer ng pamamahala ng initsa mga sistema ng packaging, na tinitiyak ang pagiging maaasahan at kahusayan ng mga semiconductor.

Tanong at Sagot

T: Ano ang pangunahing bentahe ng mga AlN-on-NPSS wafer kumpara sa mga tradisyunal na materyales tulad ng silicon?

A: Ang pangunahing bentahe ay ang AlN'smataas na kondaktibiti ng init, na nagbibigay-daan dito upang mahusay na mapawi ang init, kaya mainam ito para samataas na kapangyarihanatmga aplikasyon na may mataas na dalaskung saan kritikal ang pamamahala ng init. Bukod pa rito, ang AlN ay maymalawak na bandgapat mahusaypagkakabukod ng kuryente, ginagawa itong mas mahusay para sa paggamit saRFatmga aparatong microwavekumpara sa tradisyonal na silikon.

T: Maaari bang i-customize ang AlN layer sa mga NPSS wafer?

A: Oo, ang AlN layer ay maaaring ipasadya sa mga tuntunin ng kapal (mula 2µm hanggang 10µm o higit pa) upang matugunan ang mga partikular na pangangailangan ng iyong aplikasyon. Nag-aalok din kami ng pagpapasadya sa mga tuntunin ng uri ng doping (N-type o P-type) at mga karagdagang layer para sa mga espesyal na function.

T: Ano ang karaniwang gamit ng wafer na ito sa industriya ng automotive?

A: Sa industriya ng automotive, ang mga AlN-on-NPSS wafer ay karaniwang ginagamit saelektronika ng kuryente, Mga sistema ng ilaw na LED, atmga sensor ng temperaturaNagbibigay ang mga ito ng mahusay na pamamahala ng init at pagkakabukod ng kuryente, na mahalaga para sa mga sistemang may mataas na kahusayan na gumagana sa ilalim ng iba't ibang kondisyon ng temperatura.