8 Inch Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer

Maikling Paglalarawan:

Ang 8-pulgadang lithium niobate wafer ay malawakang ginagamit sa mga optoelectronic na device at integrated circuit. Kung ikukumpara sa mas maliliit na wafer, ang 8-inch na lithium niobate na wafer ay may malinaw na mga pakinabang. Una, mayroon itong mas malaking lugar at kayang tumanggap ng mas maraming device at integrated circuit, na nagpapahusay sa kahusayan at output ng produksyon. Pangalawa, ang mas malalaking wafer ay maaaring makamit ang mas mataas na density ng device, pagpapabuti ng integration at performance ng device. Bilang karagdagan, ang 8-pulgadang lithium niobate wafer ay nagbibigay ng mas mahusay na pagkakapare-pareho, binabawasan ang pagkakaiba-iba sa proseso ng pagmamanupaktura at pagpapabuti ng pagiging maaasahan at pagkakapare-pareho ng produkto.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Detalyadong Impormasyon

diameter	200±0.2mm
pangunahing patag	57.5mm, bingaw
Oryentasyon	128Y-Cut, X-Cut, Z-Cut
kapal	0.5±0.025mm, 1.0±0.025mm
Ibabaw	DSP at SSP
TTV	< 5µm
BOW	± (20µm ~40um )
Warp	<= 20µm ~ 50µm
LTV (5mmx5mm)	<1.5 um
PLTV(<0.5um)	≥98% (5mm*5mm) na may 2mm na gilid na hindi kasama
Ra	Ra<=5A
Scratch & Dig (S/D)	20/10, 40/20, 60/40
gilid	Kilalanin ang SEMI M1.2@may GC800#. regular sa uri ng C

Mga tiyak na pagtutukoy

Diameter: 8 pulgada (humigit-kumulang 200mm)

Kapal: Ang mga karaniwang karaniwang kapal ay mula 0.5mm hanggang 1mm. Ang iba pang mga kapal ay maaaring ipasadya ayon sa mga tiyak na kinakailangan

Crystal orientation: Ang pangunahing karaniwang crystal orientation ay 128Y-cut, Z-cut at X-cut crystal orientation, at iba pang crystal orientation ay maaaring ibigay depende sa partikular na aplikasyon

Mga Kalamangan sa Sukat: Ang 8-pulgada na serrata carp wafer ay may ilang laki ng mga pakinabang sa mas maliliit na wafer:

Mas malaking lugar: Kung ikukumpara sa 6-inch o 4-inch na wafer, ang 8-inch na wafer ay nagbibigay ng mas malaking surface area at kayang tumanggap ng mas maraming device at integrated circuit, na nagreresulta sa mas mataas na production efficiency at yield.

Mas mataas na densidad: Sa pamamagitan ng paggamit ng 8-inch na mga wafer, mas maraming device at component ang maaaring ma-realize sa parehong lugar, na nagpapataas ng integration at density ng device, na nagpapataas naman ng performance ng device.

Mas mahusay na pagkakapare-pareho: Ang mga malalaking wafer ay may mas mahusay na pagkakapare-pareho sa proseso ng produksyon, na tumutulong na mabawasan ang pagkakaiba-iba sa proseso ng pagmamanupaktura at mapabuti ang pagiging maaasahan at pagkakapare-pareho ng produkto.

Ang 8-inch L at LN wafers ay may parehong diameter ng mainstream na silicon wafers at madaling i-bonding. Bilang isang mataas na pagganap na "jointed SAW filter" na materyal na maaaring humawak ng mga high frequency band.