3inch 76.2mm 4H-Semi SiC substrate wafer Silicon Carbide Semi-insulting SiC wafer

Maikling Paglalarawan:

Mataas na kalidad na solong kristal na SiC wafer ( Silicon Carbide ) sa electronic at optoelectronic na industriya. Ang 3inch SiC wafer ay isang susunod na henerasyong semiconductor material, semi-insulating silicon-carbide wafers na 3-inch diameter. Ang mga wafer ay inilaan para sa paggawa ng kapangyarihan, RF at optoelectronics na mga aparato.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Paglalarawan

Ang 3-inch 4H semi-insulated SiC (silicon carbide) substrate wafers ay isang karaniwang ginagamit na materyal na semiconductor. Ang 4H ay nagpapahiwatig ng isang istraktura ng kristal na tetrahexahedral. Ang semi-insulation ay nangangahulugan na ang substrate ay may mataas na mga katangian ng paglaban at maaaring medyo ihiwalay mula sa kasalukuyang daloy.

Ang nasabing substrate wafers ay may mga sumusunod na katangian: mataas na thermal conductivity, mababang conduction loss, mahusay na mataas na temperatura resistance, at mahusay na mekanikal at kemikal na katatagan. Dahil ang silicon carbide ay may malawak na puwang sa enerhiya at makatiis sa mataas na temperatura at mataas na kondisyon ng electric field, ang 4H-SiC semi-insulated na mga wafer ay malawakang ginagamit sa mga power electronics at radio frequency (RF) na mga device.

Ang mga pangunahing aplikasyon ng 4H-SiC semi-insulated wafers ay kinabibilangan ng:

1--Power electronics: Maaaring gamitin ang 4H-SiC wafers para gumawa ng mga power switching device gaya ng MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) at Schottky diodes. Ang mga device na ito ay may mas mababang conduction at switching losses sa mataas na boltahe at mataas na temperatura na kapaligiran at nag-aalok ng mas mataas na kahusayan at pagiging maaasahan.

2--Radio Frequency (RF) na Mga Device: Maaaring gamitin ang 4H-SiC semi-insulated na mga wafer para gumawa ng mataas na power, high frequency RF power amplifier, chip resistors, filter, at iba pang device. Ang Silicon carbide ay may mas mahusay na high-frequency performance at thermal stability dahil sa mas malaking electron saturation drift rate nito at mas mataas na thermal conductivity.

3--Optoelectronic device: Maaaring gamitin ang 4H-SiC semi-insulated na mga wafer para gumawa ng mga high-power na laser diode, UV light detector at optoelectronic integrated circuit.

Sa mga tuntunin ng direksyon ng merkado, ang demand para sa 4H-SiC semi-insulated wafers ay tumataas sa lumalaking larangan ng power electronics, RF at optoelectronics. Ito ay dahil sa ang katunayan na ang silicon carbide ay may malawak na hanay ng mga aplikasyon, kabilang ang kahusayan sa enerhiya, mga de-koryenteng sasakyan, nababagong enerhiya at mga komunikasyon. Sa hinaharap, ang merkado para sa 4H-SiC semi-insulated wafers ay nananatiling napaka-promising at inaasahang papalitan ang mga conventional silicon na materyales sa iba't ibang mga aplikasyon.